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[学位论文] 作者：闫辰奇,,
来源：河北工业大学 年份：2017
集成电路（IC）的发展水平是衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志。化学机械平坦化（CMP）是IC制程中的最复杂的关键工艺,是目前唯一能够实现局部和全局平坦化的技术。铜CMP......
[期刊论文] 作者：闫辰奇,张金,,
来源：工业控制计算机 年份：2012
基于单片机的无线射击自动报靶系统具有报靶精度高、计算速度快、产品体积小、软件可移植、系统升级方便等优点,在降低了成本的同时既提高了射击训练效率,又能避免因报靶人员...
[期刊论文] 作者：张金,刘玉岭,闫辰奇,
来源：电镀与精饰 年份：2020
氧化剂作为抛光液的组成成分,在铝栅化学机械抛光(CMP)中起到直接影响去除速率和表面粗糙度的重要作用。本文研究了氧化剂浓度对去除速率、表面粗糙度、电化学特性的影响,采...
[期刊论文] 作者：张金,刘玉岭,闫辰奇,
来源：电镀与涂饰 年份：2019
采用由5%(体积分数,下同)硅溶胶磨料、4%H2O2、1%FA/O型螯合剂和0.0%~2.5%多元胺醇型非离子表面活性剂组成的抛光液对铝栅表面进行化学机械平坦化处理。工艺条件为:工作压力1...
[期刊论文] 作者：贾默伊,闫辰奇,张金,,
来源：工业控制计算机 年份：2012
纯苯是一种十分重要的有机化工原料,具有广泛的工业用途。纯苯塔的塔顶温度是整个工艺流程中的一个重要参数,控制塔顶温度使其恒定在97℃,从而得到高质量的纯苯产品。塔顶温...
[期刊论文] 作者：张金,侯国强,张文霞,闫辰奇,,
来源：工业控制计算机 年份：2012
退火处理是铝箔加工工艺的重要组成部分,主要是对精扎分切过的铝箔进行除油处理和光亮退火,提高其力学性能。退火炉是完成铝箔退火的关键设备,退火炉温度控制的好坏直接影响...
[期刊论文] 作者：张金,刘玉岭,闫辰奇,张文霞,,
来源：电镀与涂饰 年份：2016
在低工作压力（1 psi）和低磨料用量（纳米硅溶胶体积分数2.5%,后同）下,通过单因素实验探讨了碱性抛光液组分（包括氧化剂H2O2、FA/O型螯合剂和非离子型表面活性剂）含量对铝栅化学机械......
[期刊论文] 作者：张金,刘玉岭,闫辰奇,张文霞,,
来源：电镀与精饰 年份：2017
在铝栅化学机械平坦化（CMP）中磨料直接影响去除速率和表面粗糙度。采用不同粒径的磨料配置抛光液对铝栅进行CMP实验,对去除速率和表面形貌测试结果进行分析。结果表明,去除速率......
[期刊论文] 作者：贾少华,刘玉岭,王辰伟,闫辰奇,,
来源：功能材料 年份：2016
采用自主研制的新型碱性蓝宝石抛光液,在蓝宝石化学机械平坦化过程中加入FA/O 型非离子表面活性剂,该活性剂能够减小蓝宝石表面粗糙度,同时,在蓝宝石抛光速率下降不明显的情...
[期刊论文] 作者：王月霞,刘玉岭,王辰伟,闫辰奇,,
来源：微纳电子技术 年份：2015
针对不含腐蚀抑制剂苯并三唑(BTA)的碱性铜粗抛(P1)液,研究各成分对铜膜去除速率的影响,选出一种合适的具有高速率的碱性铜粗抛液。实验结果表明:当SiO2磨料体积分数为0.25%...
[期刊论文] 作者：贾少华,刘玉岭,王辰伟,闫辰奇,,
来源：微纳电子技术 年份：2015
研究了碱性条件下铜精抛液中非离子表面活性剂对平坦化效果的影响,通过改变精抛液中活性剂的浓度,讨论了表面活性剂对精抛速率、精抛后碟形坑延伸情况、晶圆表面非均匀性以及...
[期刊论文] 作者：王月霞,刘玉岭,王辰伟,闫辰奇,,
来源：半导体技术 年份：2015
针对不含腐蚀抑制剂苯并三氮唑(BTA)的碱性铜粗抛液,通过对3英寸(1英寸=2.54 cm)铜片上的动态抛光速率和静态腐蚀速率的研究来模拟评估氧化剂对晶圆表面平坦化的影响。在12英...
[期刊论文] 作者：张燕,刘玉岭,王辰伟,闫辰奇,邓海文,,
来源：微纳电子技术 年份：2015
为实现TSV硅衬底表面铜去除速率的优化,对影响TSV铜去除速率的最主要因素抛光液组分(如磨料、螯合剂、活性剂和氧化剂)中的氧化剂进行分析。通过对不同体积分数的氧化剂电化...
[期刊论文] 作者：赵亚东,刘玉岭,栾晓东,闫辰奇,王仲杰,,
来源：微纳电子技术 年份：2017
在铜化学机械抛光中硅溶胶作为磨料起到重要的机械作用。但硅溶胶本身存在热力学上的不稳定性和动力学上的稳定性。研究了pH值、甘氨酸质量分数以及硅溶胶质量分数对抛光液中...
[期刊论文] 作者：张金,刘玉岭,闫辰奇,何彦刚,高宝红,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
The replacement metal gate(RMG) defectivity performance control is very challenging in high-k metal gate(HKMG) chemical mechanical polishing(CMP). In this study...
[期刊论文] 作者：张金,刘玉岭,闫辰奇,张文霞,牛新环,孙鸣,,
来源：电镀与涂饰 年份：2016
采用由2．5％（体积分数，下同）硅溶胶磨料、1．5％H2O2、0．5％FA／O型螯合剂和1．0％表面活性剂组成的抛光液对铝栅表面进行化学机械平坦化处理。研究了抛光垫、抛光压力、流量、抛光头转速、抛光......
[期刊论文] 作者：秦然,刘玉岭,王辰伟,闫辰奇,武鹏,王娟,,
来源：半导体技术 年份：2015
稳定性是衡量化学机械抛光(CMP)中抛光液性能的一个重要指标,低磨料和低p H值是抛光液发展的方向。研究了不同p H值对低磨料碱性铜抛光液稳定性的影响。选取了磨料质量分数为...
[期刊论文] 作者：李炎,刘玉岭,李洪波,樊世燕,唐继英,闫辰奇,张金,,
来源：电镀与精饰 年份：2014
对d为300mm blanket铜膜进行了低压低浓度化学机械抛光实验，分析了抛光工艺参数和抛光液组分对铜膜去除速率及其非均匀性的影响。通过实验表明，当抛光压力为13．780kPa，抛光液流量......
[期刊论文] 作者：闫辰奇, 刘玉岭, 张金, 张文霞, 王辰伟, 何平, 潘国,
来源：微纳电子技术 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：李炎,刘玉岭,李洪波,唐继英,樊世燕,闫辰奇,张金,,
来源：电镀与涂饰 年份：2014
介绍了一种用于铜膜化学机械抛光的多元胺醇型非离子表面活性剂。研究了该表面活性剂对抛光液表面张力、黏度、粒径、抛光速率和抛光后铜的表面状态的影响。抛光液的基本组成...
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