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[期刊论文] 作者：,
来源：高科技与产业化 年份：2006
赵有文，1999年获得博士学位。2000～2002年在中国科学院半导体研究所完成博士后研究工作。目前主要从事磷化铟、锑化镓、砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶材料的生长技术、材料中的缺...
[期刊论文] 作者：白杨,,
来源：科学中国人 年份：2006
这就是中国科学院半导体研究所研究员赵有文，他怀揣一颗坚定而滚烫的心，沿着...
[期刊论文] 作者：赵有文,,
来源：青海教育 年份：2017
在教学过程中,如果仅采用齐步走、统一要求的教学方式,就会忽视不同层次知识水平和接受能力的学生,不利于调动学生学习的积极性和自信心。采用分层教学法则可兼顾全体学生,促...
[期刊论文] 作者：赵有文,,
来源：青海教育 年份：2012
自参加工作以来,一直在偏僻的山村学校任教,在教学中常常会遇到一些基础知识差、目标不明确、态度不积极的学困生。他们多数缺乏纪律观念,学习习惯懒散,老师不逼不学,不盯便...
[期刊论文] 作者：赵有文,,
来源：华章 年份：2011
小组合作学习是一种以学生为中心、以小组合作形式进行语言交际的学习活动.在职业中专英语教学改革实践中,小组合作学习有利于减轻学生在交际活动中产生的焦虑心理,提高学生...
[期刊论文] 作者：赵有文,,
来源：才智 年份：2004
随着我国社会的不断发展,我国的教育事业也得到了极大的发展,技工学校以其自身独有的优势也得到了极大的发展,英语教学一直都是教师以及家长广泛关注的教学内容.技工学校的教...
[学位论文] 作者：赵有文,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2001
该项工作研究了高温退火非掺杂液封直拉磷化铟单昌制备标准2英寸和3英寸直径半绝缘材料的工艺及材料的物理性质.通过930℃,80小时的退火处理,非掺磷化铟单晶片转变成电阻率为...
[期刊论文] 作者：赵有文,,
来源：中华少年 年份：2017
我国的技工院校主要是以就业为目来培养学生的,随着我国企业的不断发展,势必要走出国门面向世界。这样就对人们的英语口语水平提出了更高的要求。但是现阶段我国技工院校的英...
[会议论文] 作者：赵有文,
来源：重庆市首届涂料涂装学术大会暨行业年会 年份：2006
本文对轻轨PC梁铸钢支座表面防腐设计，防腐工艺进行了较为详细的介绍，并对引入新的防腐技术进行了探讨与展望。...
[期刊论文] 作者：赵有文,,
来源：中国草地 年份：1991
我国第一个荒漠戈壁草地类自然保护区—安西荒漠戈壁草地自然保护区于1990年9月7日通过阶段验收。安西荒漠戈壁草地自然保护区自1987年建立以来,分年度完成了80万公顷保护区...
[学位论文] 作者：赵有文,,
来源：华中农业大学 年份：2004
c-di-GMP(cyclic diguanosine monophosphate,环二鸟苷酸)是细菌内常见的核酸类第二信使,其浓度受到含有GGDEF结构域的二鸟苷酸环化酶(DGC)和含有EAL或HD-GYP结构域的磷酸二...
[期刊论文] 作者：赵有文,陈旭东,
来源：半导体情报 年份：1995
通过对产生孪晶的工艺条件的研究比较，分析了ＬＥＣ－ＩｎＰ晶体中产生孪晶的原因。实验证明，建立一个稳定合适的热场、保持Ｂ２Ｏ３的透明度、控制好掺杂量等是减少孪晶的必要条件。......
[期刊论文] 作者：赵有文,董宏伟,
来源：半导体学报 年份：2005
利用X射线双晶衍射(XRD)技术研究了原生及退火处理后的磷化铟单晶的晶格完整性.原生磷化铟单晶中由于存在着大量的位错和高的残留热应力,导致晶格产生很大的畸变,表现为XRD半...
[会议论文] 作者：赵有文,董宏伟,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
利用X射线双晶衍射(XRD)技术研究了原生及退火处理后的磷化铟单晶的晶格完整性.原生磷化铟单晶中由于存在着大量的位错和高的残留热应力,导致晶格产生很大的畸变,表现为XRD半峰宽的值较高并且分布不均匀,甚至有些原生的磷化铟单晶片出现XRD双峰等.通过降低晶体......
[期刊论文] 作者：赵有文, 董志远,,
来源：物理学报 年份：2007
研究了原生和高温退火处理后非掺n型和半绝缘InP单晶材料中产生的缺陷.在磷气氛下退火后,n型和半绝缘InP单晶中均明显产生相当数量的深能级缺陷,而在磷化铁气氛下退火后,InP...
[期刊论文] 作者：董宏伟,赵有文,等,
来源：半导体学报 年份：2002
对高温退火非掺磷化铟（InP）制备的半绝缘晶片的电学性制质和均匀性进行了研究。非掺低阻N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行930℃、80h退火均可获得半绝缘材料，但这......
[期刊论文] 作者：赵有文,刘思林,
来源：半导体情报 年份：1993
介绍了在高压单晶炉内每次直接合成1000g InP的新工艺。对合成的InP进行测试表明,非掺杂InP的载流子浓度一般为3～6×10~(15)cm~(-3),迁移率4200cm~2/V.s以上,最高可达4700...
[期刊论文] 作者：刘京明,赵有文,
来源：人工晶体学报 年份：2021
立方砷化硼(BAs)为间接带隙、闪锌矿结构的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。理论分析预测BAs具有仅次于金刚石的超高热导率,在电子器件散热领域表现出广阔应用前景,成为当前的研究...
[期刊论文] 作者：朱玉流,赵有文,
来源：植保技术与推广 年份：2003
大蒜锈病对大蒜品质和产量均有较大的影响。要有效地控制该病,必须正确掌握识别与防治方法。大蒜锈病由葱柄锈菌(属担子菌亚门真菌)侵染所致。除侵染大蒜外,还侵染洋葱、韭菜...
[期刊论文] 作者：刘京明,赵有文,
来源：人工晶体学报 年份：2021
立方砷化硼(BAs)为间接带隙、闪锌矿结构的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料.理论分析预测BAs具有仅次于金刚石的超高热导率,在电子器件散热领域表现出广阔应用前景,成为当前的研究热...
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