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[学位论文] 作者：贺致远,,
来源：上海外国语大学 年份：2018
本文研究对象为罗尔夫·拉佩特的小说《游泳回家》。主要研究的问题是,作家如何构建小说的叙事时间以及其对于小说情节和主题的展现起到何种作用。本文的理论基础主要来自热...
[期刊论文] 作者：贺致远,
来源：中国航班 年份：2020
航空安全一直以来都是十分重要的问题,人为因素在航空安全问题上始终是不可忽视的重要影响因素。因此,本文将探讨航空管制中人为因素对航空安全的影响。本文从个人的专业素养...
[期刊论文] 作者：贺致远,
来源：华章 年份：2011
海因里希·伯尔的小说《丧失了名誉的卡塔琳娜·勃罗姆》以其篇章式的文章结构和内容上关于新闻暴力的揭示被文学评论家和大众读者热议.本文尝试以叙述作品的时间系统为研究...
[期刊论文] 作者：贺致远,,
来源：中国民族博览 年份：2020
研究饮酒诗不仅是了解诗酒文化及杜甫思想情感的重要手段,也是研究唐朝历史文化及传承中华文明的主要途径.它对后世人们历史文化素养的培养、人生价值观及饮酒观的创建产生了...
[期刊论文] 作者：贺致远,
来源：科技纵横 年份：2019
软件开发与集成技术作为一种处理信息的有效工具,在当今时代的作用显得尤为突出.软件开发与集成技术给我们带来了巨大的经济效益,带动了我们生产力的巨大飞跃,软件开发与集成...
[学位论文] 作者：贺致远,
来源：上海外国语大学 年份：2018
本文研究对象为罗尔夫·拉佩特的小说《游泳回家》。主要研究的问题是，作家如何构建小说的叙事时间以及其对于小说情节和主题的展现起到何种作用。本文的理论基础主要来自热拉尔·热奈特、申丹、谭君强等人的叙事时间理论，此外博德、马丁内茨、拉恩等人的叙事学理......
[期刊论文] 作者：贺致远,张璐,,
来源：青年文学家 年份：2018
杜甫的诗歌被称为“诗史”,是文学领域中的瑰宝,其诗歌风格多样,内涵深厚,体现出忧国忧民的思想,反应出贫苦人民的艰难生活,同时,杜甫的诗歌传承了儒家思想文化,对前人诗歌点...
[期刊论文] 作者：姚尧,贺致远,李佳林,刘扬,,
来源：电力电子技术 年份：2012
研究了Si衬底AlGaN／GaN异质结构场效应晶体管（HFETs）器件尺寸参数，包括源（漏）极长度、栅宽及欧姆接触电极厚度等对器件性能的影响。基于此，在国内率先实现2英寸Si衬底上栅宽为40mm的......
[会议论文] 作者：刘扬,杨帆,郑越,何亮,姚尧,贺致远,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
以GaN为代表的Ⅲ族氮化物半导体以其优异的物理性能成为下一代理想的电力电子材料,但是在GaN电力电子器件全面实现商品化道路上,仍然面临着诸多挑战,其中制备高度可靠稳定的GaN常关型MOSFET功率器件,就是目前学术界与产业界公认的一个科技难点.针对这一问题,中......
[期刊论文] 作者：王深, 贺致远, 徐华伟, 刘群兴, 赵浩之,,
来源：照明工程学报 年份：2016
本文介绍了LED控制装置的元器件类型和失效率预计模型,根据LED控制装置在实际应用中的故障模式和关键元器件,结合可靠性试验和失效率预计思路,研究温度因子对元器件失效率的...
[期刊论文] 作者：文于华,贺致远,田芃,金佳鸿,张梅,汤莉莉,
来源：湖北大学学报：自然科学版 年份：2018
采用分子动力学方法研究含有表面缺陷的氮化镓材料的二次外延生长过程,探讨生长温度,表面缺陷数量和缺陷结构等对二次生长材料质量的影响.发现当在生长表面随机引入3.125%占...
[期刊论文] 作者：康玉祥,陈果,潘文平,尉询楷,王浩,贺致远,
来源：航空动力学报 年份：2020
基于深度强化学习，提出了一种双经验池深度强化学习模型，并应用于不平衡样本数据下的滚动轴承故障诊断。该方法设计了用于存储多样本类和少样本类数据的双经验池结构。建立并行双残差网络模型分别用于提取多数和少数类输入样本的深层特征。在深度强化学习训练过程......
[期刊论文] 作者：康玉祥,陈果,潘文平,尉询楷,王浩,贺致远,
来源：航空动力学报 年份：2023
基于深度强化学习，提出了一种双经验池深度强化学习模型，并应用于不平衡样本数据下的滚动轴承故障诊断。该方法设计了用于存储多样本类和少样本类数据的双经验池结构。建立并行双残差网络模型分别用于提取多数和少数类输入样本的深层特征。在深度强化学习训练过程......
[期刊论文] 作者：杨帆,林哲雄,张炜,张金城,王硕,贺致远,倪毅强,刘扬,,
来源：中国科技论文 年份：2014
利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2 dimensional electron gas，2DEG）形成之间的关系，分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的...
Electrical properties of MOCVD-grown GaN on Si (111) substrates with low-temperature AlN interlayers
[期刊论文] 作者：倪毅强,贺致远,钟健,姚尧,杨帆,向鹏,张佰君,刘扬,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
The electrical properties of the structure of GaN grown on an Si (111) substrate with low-temperature (LT) AlN interlayers by metal-organic chemical-vapour depo...
[会议论文] 作者：倪毅强,贺致远,杨帆,姚尧,周德秋,吴志盛,张佰君,刘扬,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
本文研究了不同等效Al组分的AlN/GaN超晶格缓冲层结构对Si衬底上GaN外延材料(图la)特性的影响.其中超晶格中的等效Al组分被定义为Al％=dAlN/(dAlN+dGaN)× 100％.我们通过改变AlN或者GaN的厚度,成功获得了不同等效Al组分超晶格的Si衬底上GaN外延材料样品(A1％范围10％～30......
[会议论文] 作者：杨帆,贺致远,倪毅强,姚尧,王硕,张金城,吴志盛,张佰君,刘扬,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
GaN材料体系以其禁带宽度大、耐高压、耐高温等优越性能非常适合制作微波放大及功率开关器件,AlGaN/GaN异质结构是其中的代表.在生长GaN外延层的几种可能衬底材料(蓝宝石、SiC、Si和GaN)中,Si衬底有明显的低价格优势,同时导热性较好,而且其晶片尺寸大,从而有效......
[会议论文] 作者：倪毅强;刘扬;贺致远;钟健;杨帆;姚尧;沈震;向鹏;柳铭岗;张佰君;,
来源：2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件 年份：2013
本文研究了以低温AlN插入层(LT-AlN)作为应力缓冲层于Si衬底上外延生长GaN的电学特性.采用霍尔效应测试在Si衬底上GaN样品中发现了一种反常的P型现象.这种现象主要是由于外延...
Si and Mg pair-doped interlayers for improving performance of AlGaN/GaN heterostructure field effect
[期刊论文] 作者：倪毅强,贺致远,姚尧,杨帆,周德秋,周桂林,沈震,钟健,郑越,张佰君,刘扬,,
来源：Chinese Physics B 年份：2004
We report a novel structure of AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors(HFETs) with a Si and Mg pairdoped interlayer grown on Si substrate. By optimiz...
[会议论文] 作者：姚尧,吴志盛,张佰君,刘扬,贺致远,杨帆,沈震,张金城,王硕,周桂林,钟健,郑越,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
在功率开关应用领域,为了保障失效安全,常关型器件的实现是非常有必要的.本文采用选择区域外延(SAG)技术,即:在金属有机化学气相外延(MOCVD)外延生长形成的半绝缘(SI)GaN/Si基底上,选择性地在接入区生长AlGaN/GaN异质结,从而形成凹栅结构,成功制备了常关型Si衬......
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