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[会议论文] 作者：詹峻岭,
来源：第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：2005
对80C196KC单片机系统的电离总剂量辐射效应进行了动态、静态对比试验.结果表明,该单片机系统不加电状态下总剂量失效水平约为5.8×102Gy(Si),而加电动态工作时约为1.25×102...
[会议论文] 作者：赵刚,詹峻岭,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
本文主要介绍了一种军用DC/DC MAC12S3R3A的辐射性能，辐照试验结果表明该DC/DC抗剂量率的水平较高在109Gy(Si)/s左右；抗稳态总剂量率的水平也很高在1000Gy(si)以上;抗中子辐照的能力比较差，不到0.85E+13n/cm2.......
[会议论文] 作者：余彦胤,詹峻岭,
来源：第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：2005
本文介绍了BM2801MC时序控制器电路加电工作时,在γ剂量率辐照下出现的闭锁效应,结果表明,BM2801MC时序控制器电路受瞬时辐射的闭锁阈值为106Gy(Si)/s量级....
[会议论文] 作者：袁国火,詹峻岭,
来源：第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2007
本文通过大量FPGA辐射效应调研,以具有代表性MTM反熔丝的FPGA总剂量效应的研究。得到MTM(Metal-To-Metal)反熔丝0.6μm和0.25μm工艺RT54SX的总剂量效应,器件表现出好于1000G...
[会议论文] 作者：杜川华;詹峻岭;,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
描述了在受到电离辐照时，ONO薄膜内部电子一空穴的运动规律。采用蒙特卡罗方法，计算了不同能量光子辐照下，ONO反熔丝介质内部的能量沉积和电荷累积，并推算了由此产生的界面电场强......
[会议论文] 作者：詹峻岭,钟洪声,
来源：第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：1999
在内电磁脉冲(IEMP)环境下工作的电子系统，将受到IEMP的损伤。电子系统中大量采用集成电路，而集成电路对电磁脉冲比较敏感，往往一个较大的电磁脉冲，会使集成块产生误码甚至烧毁。......
[会议论文] 作者：赵刚,詹峻岭,徐曦,
来源：第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：2005
本文介绍了国产加固型单片机80C196KC20RHA单片机与Intel同型单片机抗辐射性能的比较,通过试验表明该型号的国产单片机抗γ总剂量的能力在5.88×103Gy(Si)以上,远高于Intel同...
[会议论文] 作者：赵刚,叶鸿,詹峻岭,
来源：全国信息与电子工程第三届学术交流会暨四川省电子学会曙光分会第十四届学术年会、中物院电子技术第八届青年学术交流会 年份：2008
本文介绍了Xilinx公司的CPLD XC95144和华微公司的CPLDHWD114144抗瞬时辐射的性能，通过在“闪光I”的对比试验可以得出这两种CPLD在瞬时伽玛辐照下都不易出现闭锁，但在较低的剂...
[期刊论文] 作者：杜川华,詹峻岭,徐曦,,
来源：强激光与粒子束 年份：2006
简要叙述了反熔丝FPGA的基本结构，介绍了一种FPGA延时电路的工作原理以及利用该电路在“强光一号”脉冲加速器上进行γ瞬时辐照试验的方法，给出了试验测量结果。分析表明；高剂量......
[期刊论文] 作者：赵洪超,徐曦,詹峻岭,
来源：信息与电子工程 年份：2004
介绍应用等离子喷涂设备制备抗X射线复合涂层的工艺方法,并针对复合涂层的环境适应性问题,研究了降低涂层材料氧化、热应力集中和减小基材变形的技术措施.定量分析了复合涂层...
[会议论文] 作者：詹峻岭[1]钟洪声[2],
来源：第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：1999
在内电磁脉冲(IEMP)环境下工作的电子系统，将受到IEMP的损伤。电子系统中大量采用集成电路，而集成电路对电磁脉冲比较敏感，往生一个较大的电磁脉冲，会使集成块产生误码甚至烧毁。......
[会议论文] 作者：杜川华;许献国;詹峻岭;,
来源：全国信息与电子工程第四届学术年会暨四川省电子学会曙光分会第十五届学术年会 年份：2010
分析了反熔丝FPGA的γ瞬时电离辐射效应及其辐射损伤机理，针对一种反熔丝FPGA延时电路，设计了“FPGA+铁电存储器+特殊读写程序”的保护电路，实现了γ瞬态辐射下FPGA延时信号的实...
[期刊论文] 作者：赵洪超,徐曦,詹峻岭,李长久,
来源：中国工程物理研究院科技年报 年份：2006
等离子喷涂复合涂层为AL基体上多种材料的热喷涂涂层，涂层结合强度大于3MPa为其贮存寿命评估的失效判据。可能造成复合涂层结合强度下降的主要因素：（1）长期贮存过程中，因涂层材料......
[会议论文] 作者：詹峻岭,赵刚,徐曦,赵汝清,
来源：第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2007
本文介绍了国产加固型的单片机80C196KC20RHA与INTEL产80C196KC20单片机的抗辐射性能,通过两种单片机系统在"闪光I"和Co辐照源的对比试验可以看出:该国产加固型的单片机抗电...
[会议论文] 作者：王旭利, 许献国, 詹峻岭, 周启明,,
来源： 年份：2004
本文介绍了模数转换器(ADC)抗辐射性能试验测试技术的国内外研究现状,以及获得的相关结论。在此基础上提出实时测量模数转换器在辐射环境下工作的动态性能参数来表征器件抗辐...
[会议论文] 作者：杜川华;詹峻岭;余军红;徐曦;,
来源：第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：2005
本文简要叙述了基于反熔丝的现场可编程门阵列(FPGA)的基本结构,介绍了瞬态电离辐射效应的基本原理以及FPGA延时电路的工作原理,给出了该电路在"强光一号"加速器上的γ瞬时辐...
[会议论文] 作者：詹峻岭,徐曦,黑东炜,罗剑辉,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
用7种纯材料做荧光靶，在荧光X射线装置上对复合屏蔽材料平板样品进行了X射线透过率实验测量，获得了100keV以下16个单能点的X射线透过率测量数据.根据材料对X射线的吸收规律，理论......
[期刊论文] 作者：杜川华,詹峻岭,许献国,袁国火,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2012
针对反熔丝FPGA电路，在“强光一号”加速器上进行了瞬时电离辐射试验，发现γ射线瞬时电离辐射会导致FPGA内部寄存器清零，使FPGA运行状态被初始化。为了解决该问题，设计了一种“FP......
[期刊论文] 作者：杜川华,詹峻岭,赵洪超,朱小锋,
来源：核电子学与探测技术 年份：2010
描述了ONO反熔丝的物理结构，采用ONO薄膜传导模型分析了ONO反熔丝结构在受到电离辐照时，其内部电子一空穴的运动规律。分别对ONO反熔丝FPGAA1460A和A40MX04进行了电离辐照实验，...
[会议论文] 作者：赵洪超,徐曦,詹峻岭,李长久,杨冠军,
来源：第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2007
本文对多种材料的复合涂层进行了自然老化实验和高温氧化、湿热、震动、高低温循环等加速老化实验研究,在此基础上对复合涂层长期贮存寿命与可靠性进行了评估,得到了该复合涂...
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