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[学位论文] 作者：符斯列,,
来源：华南师范大学 年份：2004
随着半导体光电材料从GaAs材料向新一代GaN基材料的发展，制备长寿命、高亮度、低能耗的薄膜发光光电材料成为当前半导体光电材料工业的主要话题。目前GaN的外延生长技术一般采...
[期刊论文] 作者：符斯列, 陈俊芳,,
来源：实验室研究与探索 年份：2010
介绍了Langmuir探针测量等离子体参数特性的实验原理和方法,采用Langmuir单探针诊断了电子回旋共振等离子体参数的分布特性。结果表明,在一定微波功率下,气压增加,等离子体密...
[期刊论文] 作者：郑晓思,符斯列,
来源：物理实验 年份：2020
利用C-V测量法研究了GaN基高亮度蓝光发光二极管的InGaN/GaN多量子阱结构(MQWs),通过样品的C-V曲线及对应的杂质浓度分布曲线得出MQWs的结构特性.实验结果表明:MQWs为5个周期...
[期刊论文] 作者：王春安,符斯列,
来源：大学物理 年份：2019
大学物理专业的固体物理教学,通常以立方晶格为例,以静态图像的形式来说明s态电子等能面的空间分布特点,而缺乏等能面随波矢k变化的具体过程.本文采用Matlab程序具体展示了紧...
[会议论文] 作者：符斯列,陈俊芳,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
应用ECR-MOPECVD工艺,采用氮气和有机金属气源三甲基镓,在T=450℃条件下在a-AlO衬底上生长GaN薄膜。同时对等离子体发射光谱及GaN薄膜的x射线衍射进行了分析。...
[期刊论文] 作者：李鹏飞,陈俊芳,符斯列,,
来源：表面技术 年份：2016
目的制备性能优异的氮化铝薄膜。方法采用射频感应耦合离子源辅助直流磁控溅射的方法制备氮化铝薄膜,在不同的气压下,在Si（100）基片和普通玻璃上生长了不同晶面取向的氮化铝薄......
[期刊论文] 作者：苏秀崖,湛高超,符斯列,
来源：物理实验 年份：2017
探究了不同实验操作方法以及不同样品电流对锰氧化物巨磁阻效应实验曲线对称性的影响.实验发现增大样品电流能获得对称性更佳的曲线....
[期刊论文] 作者：符斯列,王春安,陈俊芳,,
来源：实验科学与技术 年份：2010
文章介绍了变温霍尔效应测量半导体电学特性实验,通过77～400K的浅掺杂n型锗标准样品变温霍尔效应测量,根据对各种变温数据曲线中高温本征导电区斜率的计算,得到半导体样品的禁...
[期刊论文] 作者：符斯列,陈俊芳,王春安,
来源：大学物理实验 年份：2009
本文采用Langmuir单静电探针法,分析诊断了电子回旋共振等离子体的参数分布特性,并分析了微波功率、气压对轴向、径向等离子体空间分布的影响。在微波功率400W~650W范围内等...
[期刊论文] 作者：符斯列,王春安,陈俊芳,,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2013
对电子回旋共振低温等离子体化学气相沉积工艺（ECR-PECVD）沉积GaN薄膜过程中的氮气和三甲基镓有机金属气体（TMG）混合气体等离子体发射光谱进行分析。结果表明TMG在等离子体自加热......
[期刊论文] 作者：符斯列,王春安,陈俊芳,,
来源：科学技术与工程 年份：2010
介绍了电子回旋共振低温等离子体化学气相沉积氮化镓薄膜工艺，并以高纯氮气N2和三甲基镓（TMG）为反应气源，在T=450°条件下，在α-A12O3（0001）面上低温生长了GaN薄膜。X射线分析显......
[期刊论文] 作者：符斯列,陈俊芳,郭超峰,,
来源：信息记录材料 年份：2010
采用低温等离子体增强化学气相沉积工艺，以氮气N2和三甲基镓（TMG）为反应气源，在蓝宝石衬底α—Al2O3的（0001）面上低温生长了GaN薄膜。薄膜光致发光光谱（PL）出现两个发光带，一个是中心......
[期刊论文] 作者：郑梓涵, 黄之豪, 符斯列,
来源：物理实验 年份：2022
通过变温霍尔效应实验，在77～420K 温度范围内对 N 型 Ge标准样品的电学特性进行测量．根据对高温本征导电区斜率的计算，得到样品禁带宽度 Eg；对低温杂质电离区斜率的计算，得到样品杂质电离能Ei．对计算结果进行比较，■及■曲线更适合用于计算禁带宽度；降温的■曲线更适合用......
[期刊论文] 作者：苏秀崖，湛高超，符斯列，SUXiu-ya，ZHANGao-c,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：2017
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者：符斯列,王春安,丁罗城,秦盈星,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2017
氢在GaN薄膜制备工艺中扮演很重要的角色,氢主要有两个来源,一是载气氢,另一个来源是从TMG气源本身离解出来的氢产物。本文研究了电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积(ECR...
[期刊论文] 作者：蒋联娇, 符斯列, 秦盈星, 李健翔,,
来源：功能材料 年份：2016
基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法分别计算了VGa和VN距掺入Mn原子为近邻、次近邻、远近邻各3种情况下GaN体系的电子结构和光学性质,分析比较了空位的不同位置对...
[期刊论文] 作者：缪晶,符斯列,王春安,雷涛,李俊贤,
来源：原子与分子物理学报 年份：2021
ZnO∶Cu体系具有p型导电性并出现室温铁磁性,但是对于其磁性来源还颇有争议.用Cu掺杂ZnO晶体容易增加空位缺陷产生的几率,从而使ZnO∶Cu体系产生磁性.因此,本文采用基于密度...
[期刊论文] 作者：雷涛,符斯列,王春安,缪晶,王琳涵,
来源：原子与分子物理学报 年份：2004
采用基于态密度泛函理论的第一性原理赝势法,分析了直径为1.2 nmn的ZnO量子点体系(Zn45 O45H72,并经H钝化)在中心、中间、表面三种不同位置Mn掺杂情况下的晶体结构、能带结构...
[期刊论文] 作者：李健翔,符斯列,蒋联娇,马娟娟,唐吉玉,,
来源：材料导报 年份：2015
基于密度泛函理论的平面波赝势方法，选择广义梯度近似（GGA）下的PBE算法一关联泛函对GaN晶体结构、能带结构以及电子态密度随压强的变化进行了研究，并计算出GaN材料的相变点压强值......
[期刊论文] 作者：秦盈星, 符斯列, 蒋联娇, 丁罗城, 吴先球,,
来源：功能材料 年份：2017
采用第一性原理的超软赝势法,分别计算单掺杂Mn、Mn-N按1∶1和2∶1共掺杂ZnO掺杂体系的形成能、能带结构、态密度以及铁磁性。计算结果表明,单掺Mn并不能得到稳定的ZnO,Mn-N...
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