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应用ECR-MOPECVD工艺,采用氮气和有机金属气源三甲基镓,在T=450℃条件下在a-Al<,2>O<,3>衬底上生长GaN薄膜。同时对等离子体发射光谱及GaN薄膜的x射线衍射进行了分析。
ECR-MOPECVD生长GaN薄膜及等离子体发射光谱分析
【摘 要】
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应用ECR-MOPECVD工艺,采用氮气和有机金属气源三甲基镓,在T=450℃条件下在a-AlO衬底上生长GaN薄膜。同时对等离子体发射光谱及GaN薄膜的x射线衍射进行了分析。
【机 构】
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华南师范大学物理与电信工程学院 广州大学城 510006
【出 处】
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第十届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2007年期
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