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[期刊论文] 作者：章晓文,,
来源：中国高新技术企业 年份：2009
在防空地下室结构设计中也经常会遇到防空地下室的平战转换设计问题，协调好防空地下室在平战两种状态下的不同使用要求，已成为结构设计中的一个重要课题。文章针对人防设计的平......
[期刊论文] 作者：章晓文,
来源：科技资讯 年份：2009
在提出居住“生态岛”理念的前提下，论述了嘉盛园山庄在此理念指导下的规划方案及建筑单体设计。...
[期刊论文] 作者：章晓文,
来源：电子质量 年份：2003
对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可靠性测试,获取可靠性模型参数和可靠性信息....
[期刊论文] 作者：章晓文,,
来源：生活与健康 年份：2002
于小姐毕业于北京某大学计算机专业,后留校教书。最近她又多了一个身份,为来北京进行商务考察的某跨国公司每天做两个小时的钟点秘书,主要工作是帮助外商翻译一些往来的信件...
[会议论文] 作者：章晓文;,
来源：2003第十届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2003
制作了BICMOS工艺金属化电迁移测试结构的剖面样品,拍摄了该剖面的SEM像,用SEM测量了剖面样品的多条金属化电迁移测试结构的宽度和厚度,包含金属1和金属2两部分,测量结果表明...
[会议论文] 作者：章晓文,
来源：第八届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1999
采用加速寿命试验方法撮了晶片级MOS管的HU氏模型的工艺参数，确定了对应器件寿命值的最大线性跨导的变化率；采用实验的方法确定了在不同的退化机理作用下，引起N沟道热载流子退化......
[期刊论文] 作者：章晓文,
来源：中国人民大学学报 年份：1999
程，１９３８年１２月出生于安徽省黄山山麓。１９６０年毕业于中国人民大学中共党史系。现任中国人民大学政治思想文化研究所所长、教授、博士生导师。兼任北京市日本学研究中心客座教授、北京市......
[会议论文] 作者：章晓文,
来源：中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会 年份：2004
集成电路电路封装材料的吸水、吸湿的能力主要取决于材料的物质结构,分析了潮湿环境下集成电路中铝互连引线腐蚀的产生原因,给出了化学反应方程式,探讨了工艺中避免化学腐蚀...
[会议论文] 作者：章晓文,
来源：中国电子学会可靠性分会第十一届学术年会 年份：2002
介绍了圆片级可靠性测试技术,对其特点和作用作了详细的论述.测试内容上着重介绍了金属化完整性测试、氧化层完整性测试、连接完整性测试和热载流子注入测试,对不同测试结构...
[期刊论文] 作者：章晓文,,
来源：中国社会保障 年份：2004
2003年2月26日,刘继军一家热热闹闹地聚在一起,为即将离家去北京打工的儿子刘浩饯行。没想到,这一聚竟是刘家的最后一次团聚。8个月后,从北京传来了刘浩中毒身亡的噩耗。刘继...
[期刊论文] 作者：章晓文,
来源：中国高新技术企业 年份：2009
摘要:在防空地下室结构设计中也经常会遇到防空地下室的平战转换设计问题,协调好防空地下室在平战两种状态下的不同使用要求,已成为结构设计中的一个重要课题。文章针对人防设计的平战结合问题,从人防荷载的确定、荷载组合和内力分析及构造要求等方面介绍了人防......
[会议论文] 作者：章晓文, 李刚,,
来源： 年份：2004
通用型指挥控制系统与多型号武器系统紧密交链,实现多型号地面防空武器系统网络化混编综合集成,为指挥员进行复合指挥提供了良好的平台。特别是在大区域空防体系对抗,复杂电...
[期刊论文] 作者：章晓文,王锋,
来源：半导体技术 年份：1998
采用准静态Ｃ－Ｖ特性和高频Ｃ－Ｖ特性测试技术，结合温偏（Ｂ－Ｔ）实验，测试了等离子体增强化学汽相沉积（ＰＥＣＶＤ）法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜的电学特性（界面态密度、固定电荷密度、介电常数、可动离子密度），结......
[期刊论文] 作者：章晓文,林毅佳,,
来源：大众文艺 年份：2011
随着城市经济发展的深入,城市的面积在迅速地扩大,人们对城市生活空间品质的要求日益提高,城市景观小品也越来越丰富,景观小品作为城市的"细部"是承载着城市的文化底蕴和居民...
[会议论文] 作者：章晓文, 张晓明,,
来源： 年份：2004
评价金属条电迁移效应的试验常采用SWEAT方法即标准晶片级电迁移加速寿命试验。SWEAT方法具有速度快,简便,对金属化特性灵敏度高,测试自动化的特点。能在较短的时间内评估金...
[会议论文] 作者：章晓文, 恩云飞,,
来源： 年份：2005
本文对SOI(SOI:Silicon On Insulator,绝缘体上硅)器件的优良特性进行了描述,对SOI 与体硅CMOS电路的漏电流作了对比。介绍了SOI材料的制作方法,主要的两个技术途径是氧离子...
[期刊论文] 作者：章晓文,恩云飞,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2004
对脉冲应力作用下金属铝膜的电迁移失效机理进行了研究,研究了纯交流应力对金属铝膜电迁移可靠性的影响,对影响测试结构的相关因素作了详细的描述.借助于脉冲波形的傅里叶级...
[期刊论文] 作者：陈蒲生,章晓文,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
采用雪崩热电子注入技术研究了富氮ＳｉＯｘＮｙ纳米级薄膜的陷阱特性。观察到该薄膜存在着受主型电子陷阱，随注入的增长、界面上产生的这种陷阱将起主导作用，其密度大过施主型界面电子陷阱......
[期刊论文] 作者：章晓文,陈蒲生,
来源：半导体技术 年份：1999
采用深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ），测试了等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜的电学特性（界面态密度、俘获截面随禁带中能量的变化关系），结果表明，采用合适的ＰＥＣＶＤ低温工艺淀积ＳｉＯｘＮｙ膜......
[期刊论文] 作者：章晓文,张晓明,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2002
介绍了评价热载流子注入效应的加速寿命试验,针对具体的工艺线,提取了MOS管加速寿命试验的模型参数,以阈值电压变化10 mV为失效判据,分别对0.8μm和0.6μm工艺线的热载流子注...
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