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[期刊论文] 作者：游志朴,
来源：微电子学 年份：1990
Ⅴ 加固双极数字逻辑电路设计 A.引言 MOS和双极性器件的本质差别使其对电离辐照的响应不同。双极器件中绝缘-半导体界面不是主要部份,因而本质上此类器件不易被氧化物...
[期刊论文] 作者：龚敏,游志朴,
来源：半导体学报 年份：1987
观测到掺铂硅中 E_c-0.23eV能级的 DLTS信号因电子辐照而衰减,而E_v+0.32eV能级则对电子辐照不敏感.这一实验结果使我们认为,掺铂硅中的两个能级不是与同一个深中心有关的....
[期刊论文] 作者：Kerns,SE,游志朴,
来源：微电子学 年份：1990
这是一篇全面介绍用于空间环境的集成电路抗辐照加固方案的综述文章,系统地论述了各种MOS、双极和GaAs集成电路抗总剂量辐照和单击事件扰动的加固问题。原文的中文译文约五万...
[会议论文] 作者：游志朴,陈振,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
该文报道了对掺金（Ａｕ），掺铂（Ｐｄ）二极管的正向压降￣反恢时间兼容性的实验研究结果。观测到掺Ｐｄ二极管的Ｖ〈，ＦＦ〉￣ｔ〈，ｒｒ〉兼容性较掺Ａｕ，Ｐｔ管更为良好，而按照Ｂａｌｉｇａ建立的快恢复二极管特性的理论分析，掺Ｐｄ硅二极管的......
[会议论文] 作者：龚敏,游志朴,陈旭东,
来源：第十二届全国半导体物理学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：游志朴,陈振,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
该文报道了对掺金（Ａｕ），掺铂（Ｐｄ）二极管的正向压降￣反恢时间兼容性的实验研究结果。观测到掺Ｐｄ二极管的Ｖ〈，ＦＦ〉￣ｔ〈，ｒｒ〉兼容性较掺Ａｕ，Ｐｔ管更为良好，而按照Ｂａｌｉｇａ建立的快恢复二极管特性的理论分析，掺Ｐｄ硅二极管的Ｖ〈，ＦＦ〉￣ｔ〈，ｒｒ〉兼容性应最差。这一事实表明，具体的器件结构和工艺对Ｖ〈，ＦＦ〉￣ｔ〈，ｒｒ〉特性有很重要的影......
[期刊论文] 作者：周继明,游志朴,
来源：四川大学学报：自然科学版 年份：1989
用原子吸收光谱和X射线荧光光谱,测得Ni在Si中的分布为内部浓度低,表面浓度高的U形分布。扫描电子显微镜观察到了Ni在Si表面的沉积和由此产生的晶格缺陷。表面沉积物是Si—Ni...
[期刊论文] 作者：罗宗德,游志朴,
来源：半导体学报 年份：1992
研究了中子辐照硅中正电子湮没寿命谱的等时退火特性,得到与文献[1]不相同的结果.实验资料对比表明,本工作的结果与EPR、IR、DLTS的实验能更好地符合.对[1]中的双空位运动形...
[期刊论文] 作者：潘飞蹊,游志朴,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1998
通过对微氮ＣＺ硅单晶中氧沉积性质的研究表明，在氮一氮对（Ｎ－Ｎ）浓度为９×１０＾１５／ｃｍ＾３且经去热施主预热处理的样品中，氮对氧的沉积没有增强作用，因此，在实用的微氮ＣＺ硅单晶中的氮杂质不会对三步本征吸......
[会议论文] 作者：胡再国,游志朴,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[会议论文] 作者：林晓潼,游志朴,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[会议论文] 作者：李学宁,游志朴,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
该文对电子辐照以缩短ＤＯＦＭＣＴ的关断时间和对正向压降的影响进行了分析。对ＤＯＦＭＣＴ器件的电子辐照和退火的实验结果表明：获得了优化的器件关断时间和正向压降的折衷。......
[期刊论文] 作者：S·E·Kerns,游志朴,
来源：微电子学 年份：1990
这是一篇全面介绍用于空间环境的集成电路抗辐照加固方案的综述文章,系统地论述了各种MOS、双极和GaAs集成电路抗总剂量辐照和单击事件扰动的加固问题。原文的中文译文约五万...
[期刊论文] 作者：李柳青,廖显伯,游志朴,
来源：电子学报 年份：2001
本文报道a-Si∶H本征膜及Pin二极管的1MeV1.4×1015,4.2×1015,8.4×1015/cm2电子幅照实验结果和退火行为.测量了电子辐照对a-Si∶H光暗电导率和光致发光谱的影...
[期刊论文] 作者：李恒,唐有青,游志朴,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：2003
高注量的氦注入硅中并经热处理所形成的微孔,对金属原子的吸除作用已为大量的研究所证实.作者报道了该技术应用于平面二极管中对金杂质吸除的研究.其结果表明,在粗糙研磨表面...
[期刊论文] 作者：周继明,游志朴,尹建华,
来源：四川大学学报：自然科学版 年份：1990
中子嬗变掺杂硅(NTD-Si)等时热退火特性的研究,国内开始于80年代初,到1986年,认为其规律已经基本清楚.但是1988年发现NTD直拉Si退火中电阻率的变化不同于以往的报道,还...
[会议论文] 作者：李柳青,廖显伯,游志朴,
来源：第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会 年份：2001
本文报道a-Si:H Pin太阳电池的1MeV1.4～8.4×10cm电子辐照实验结果.测量了电子辐照对a-Si:H太阳电池光暗J-V特性的影响,以及它们的退火行为.发现这样剂量范围的1MeV电子辐照可...
[期刊论文] 作者：轩振国,张美蓉,游志朴,
来源：半导体学报 年份：1986
在氢气区熔硅单晶中观测到一个2688cm~(-1)的新Si-H红外吸收峰.该谱峰不能由文献[2]、[4]提的模型来解释.A new Si-H infrared absorption peak of 2688cm -1 was observed...
[期刊论文] 作者：齐鸾亭,潘飞溪,游志朴,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1994
利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）对电子辐照区熔硅中多稳态缺陷进行研究的结果表明。经２ｈ１０００℃温度退火后，观测到在能级中的多稳组态由４０％减少到１０％左右。这一实验结果为多稳态缺陷不是Ｐｓ－Ｃｉ结构，而是Ｅ中心自身......
[期刊论文] 作者：游志朴,龚敏,陈继镛,崔新强,
来源：半导体学报 年份：1986
用深能级瞬态谱(DLTS)研究了铂在N型和P型硅中引入的能级.制备了p~+nn~+深结,p~+n和n~+p浅结,Au/n-Si和Ti/p-Si肖特基等五种掺铂样品.分析各种样品的测试结果得到:过去报道在...
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