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[期刊论文] 作者：林英,桂力敏,
来源：微电子学与计算机 年份：1990
本文采用二维数值模拟方法求解体硅CMOS IC的寄生电阻Rs、Rw 值,然后计算其相应的维持电流值,得到了与实验基本相符的结果.最后给出了Rs与设计尺寸的关系....
[期刊论文] 作者：贺德洪,桂力敏,
来源：理化检验(物理分册) 年份：1994
对局部蒸镍的镀金管座做了二种不同钎焊温度的样品试验.通过样品的键合强度测试和AES分析,证实了高温钎焊工艺造成的Ni表面氧的富集影响了Ni-Al金属间的超声键合强度。...
[期刊论文] 作者：贺德洪,桂力敏,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
采用局部定域的蒸镍技术能较大幅度地提高镀金层质量差的管座的超声键合强度，使键合强度高于中国军标和美军军标所规定的指标。...
[会议论文] 作者：何江红,桂力敏,
来源：中国电子学会可靠性分会第七届学术年会 年份：1994
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[会议论文] 作者：贺德洪,桂力敏,
来源：中国电子学会可靠性分会第七届学术年会 年份：1994
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[会议论文] 作者：贺德洪,桂力敏,
来源：第四届SMT/SMD学术研讨会 年份：1997
该文采用称重法和功能测试法，对六反相器４０６９的五种ＳＯＩＣ产品的含湿量和功能参数作了测定、例举了其中一种样品的模拟再流、吸潮等试验，以阐述ＳＭＤ的含湿量开裂值极限与裂每逢缝产生可能的相......
[会议论文] 作者：俞铁岩,桂力敏,
来源：中国电子学会可靠性分会第七届学术年会 年份：1993
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[会议论文] 作者：林川,桂力敏,林杨,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理分会第六届学术年会 年份：1992
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[期刊论文] 作者：林英,贺德洪,桂力敏,
来源：华东师范大学学报：自然科学版 年份：1993
体硅CMOS IC内不可避免地存在着寄生pnpn四层结构,在一定条件下,导致器件闭锁失效.本文结合专门用于研究CMOSIC内锁定的微电子测试图形,对以设计、工艺制备的一系列组合测试...
[会议论文] 作者：桂力敏,贺德洪,陈康民,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第五届学术年会 年份：1990
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[期刊论文] 作者：孙沩,桂力敏,吴敏玲,,
来源：上海师范大学学报(自然科学版) 年份：1980
本文叙述了Van der Pauw(VDP)测试结构的基本原理及测量方法。试制了七种这类的测试结构。用圆形VDP结构和匹种不同形状的十字形结构对基区、发射区的薄层电阻进行了测量,以...
[期刊论文] 作者：华剑萍,贺德洪,桂力敏,
来源：微电子学与计算机 年份：1990
本文介绍了采用直流表面电导技术非破坏性地测量密封管壳内水汽含量的方法、原理及其测量结果,并介绍了采用该技术对工厂密封器件的水汽含量所进行的评估....
[会议论文] 作者：丁瑞军,桂力敏,汪宗禹,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理分会第六届学术年会 年份：1992
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[会议论文] 作者：桂力敏;范焕章;张蓓榕;,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第四届学术年会 年份：1987
该文提出了一种用于科学地评价双极型半导体器件（npn或pnp晶体管）工艺水平的微电子测试图形。该测试图形由物理分析及工艺参数测试结构、器件参数测试结构等部分组成，测试结构的......
[期刊论文] 作者：何江红,贺德洪,桂力敏,
来源：微电子学与计算机 年份：1996
本文采用ＰＣＴ试验方法ＳＤ１３００５型ＮＰＮ高反压大功率晶体管进行了加速寿命试验，发现ＢＶｃｅ０是其退化的最敏感参数。并利用自行研究开发的《微电子器件可靠性指标数据处理计算机软件》对试验数据进行统计......
[期刊论文] 作者：桂力敏,汪宗禹,范焕章,孙沩,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1983
本文讨论了平面四探针测试结构的设计及在测量硅单晶电阻率时应注意之处。测量结果与自制的正方阵列机械四探针及其他单位所用的直线阵列四探针的测量结果进行了比较;平面四...
[期刊论文] 作者：范焕章,王刚宁,张蓓榕,贺德洪,桂力敏,
来源：华东师范大学学报(自然科学版) 年份：1998
本文讨论了在直流电压应力和脉冲电压应力作用下栅氧化膜击穿寿命的差别，脉冲应力下栅氧化膜击穿寿命大于直流电压下的击穿。而且频率越高，两者的差别越大。差别起因于脉冲低电......
[期刊论文] 作者：桂力敏,范焕章,张蓓榕,汪宗禹,贺德洪,汤世豪,,
来源：华东师范大学学报(自然科学版) 年份：1988
本文提出一种用于科学地评价双极型半导体器件(npn或pnp晶体管)工艺水平的微电子测试图形。该测试图形由物理分析及工艺参数测试结构、器件参数测试结构等部分组成,测试结构...
[期刊论文] 作者：桂力敏,贺德洪,丁瑞军,董胜强,谢嘉慧,陈承,陈康民,陈谷平,
来源：华东师范大学学报：自然科学版 年份：1992
本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于...
[期刊论文] 作者：桂力敏,贺德洪,丁瑞军,董胜强,谢嘉慧,陈承,陈康民,陈谷平,徐士美,,
来源：华东师范大学学报(自然科学版) 年份：1992
本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于...
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