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[学位论文] 作者：杜寰,
来源：中国科学院物理研究所 年份：1999
全铌隧道结制备和它可能的应用研究是该论文的主要工作;此外在论文中还对数字dc SQUID的热噪声作了理论计算.制备全铌隧道结的难点首先是得到界面清晰的Nb/Alox-Al/Nb夹层结...
[学位论文] 作者：杜寰,
来源：北京师范大学 年份：1996
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[学位论文] 作者：杜寰,
来源：上海财经大学 年份：2002
房地产建筑安装工程,由于其特定的条件,加上管理体制的缺陷,职业道德受到挑战,例外事件频繁发生,产生了例外成本.房地产建筑安装工程的例外成本管理已越来越受到关注.现实中,...
[会议论文] 作者：杜寰,
来源：新型优质耐火原材料技术与发展学术会议 年份：1994
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[学位论文] 作者：杜寰,
来源：东北财经大学 年份：2020
海关涉案财物是指海关办案部门在办案过程中,依法采取扣押等措施提取或者固定,以及从其他单位和个人接收的与案件有关的财物。海关涉案财物管理作为海关执法活动的延续,其工作内容主要是依法对涉案财物进行保管、变卖、移交等。海关涉案财物安全规范的仓储保管......
[期刊论文] 作者：,
来源：中国集成电路 年份：2012
近日，中科院微电子所硅器件与集成技术研究室（一室）微显示驱动课题组在杜寰研究员的带领下，依托863课题，与浙江大学合作，成功研制出基于硅基液晶（LiquidCrystalonSilicon，LCoS）微显示...
[学位论文] 作者：杜寰雨,,
来源：湖北民族学院 年份：2017
清江流域不仅属于武陵山片区(除宜都外),也属于国家连片扶贫攻坚区。同时,流域大部分区域还属于“生态环境敏感—经济发展滞后—区位功能重要”三位一体的国家重点生态功能区...
[期刊论文] 作者：杜寰雨,
来源：知识经济 年份：2016
本文以恩施自治州为例，通过对恩施自治州城镇化发展的深入调查，分析了恩施自治州城镇化发展现状以及加快城镇化发展的必要性，提出了加快恩施自治州城镇化的对策建议，以求促进恩施......
[期刊论文] 作者：李浩,杜寰,
来源：微电子学 年份：2019
介绍了一种评估功率LDMOS散热特性的方法.在0.18 μm BCD工艺平台制作了结构相同、叉指数量不同的LDMOS,并进行了TLP测试.通过对物理机理以及I-V曲线进行分析,发现随着叉指数...
[期刊论文] 作者：杜寰,赵士平,
来源：低温物理学报 年份：1999
本文用磁控溅射方法研究了全铌隧道结ｄｃＳＱＵＩＤ的制备．根据铌结的ＳｔｅｗａｒｔＭｃＣｕｍｂｅｒ参量βｃ选择确定结的并联电阻，消除了结的回滞，并联电阻后的ＩＶ曲线很好的符合ＲＳＪ模型．为了获得大的磁通电压调制幅度，设计了较......
[期刊论文] 作者：杜寰,赵士平,
来源：低温物理学报 年份：1998
本文用选择铌膜刻蚀或选择铌膜阳极氧化过程研究了全铌隧道结Ｎｂ／ＡｌＯｘＡｌ／Ｎｂ的制备．借助于ＳＥＭ，利用曝光后烘烤处理研究了高质量光刻胶图形的制备工艺，并分析了其对铌结特性的影响．结面积为７μｍ２的铌......
[会议论文] 作者：王文博;杜寰;,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文结合LCOS驱动电路中的高压单管传输门的要求,设计了双漂移区厚栅氧LDMOS的结构,实现传输高电压的要求.利用Tsuprem4软件对所设计的器件进行了物理模拟,获得了沟道长度、...
[会议论文] 作者：赵士平,杜寰,
来源：第三届全国超导薄膜和超导器件学术会议 年份：1997
我们采用通常的超导Ｎｂ结的工艺和技术，成功地制备了高质量的Ｎｂ／Ａｌ－ＡｌＯｘ－Ｔｉ超导隧道结。在２Ｋ至超导转变温度内的测量显示了典型的ＳＩＮ结的Ｉ－Ｖ特性。能隙电压内的电流值在测量温区内与理论计算值相符，但到......
[会议论文] 作者：杜寰,杨乾声,
来源：第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议 年份：1998
该文用磁控溅射方法研究了全铌隧道结dc SQUID的制备。根据铌结的SteWart-McCumber参量βc选择确定结的并联电阻，消除了结的回滞，并联电阻后的1-V曲线很好的符合RSJ模型。为了...
[期刊论文] 作者：杜寰,赵国斌,王雄,,
来源：美苑 年份：2015
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[期刊论文] 作者：杨光林, 丛密芳, 杜寰,,
来源：微电子学 年份：2013
介绍了一种RF-LDMOS功率器件内匹配电路的设计方法。首先通过ADS/De-Embed提取管芯的S参数,得到其输入阻抗;然后建立LC内匹配电路,确定电容值、电感值以及提升的目标阻抗值;...
[期刊论文] 作者：宋李梅,杜寰,夏洋,
来源：真空电子技术 年份：2007
提出了矩阵寻址方式的场发射驱动电路。设计出16级灰度显示的阴极驱动电路以及栅极驱动电路，并对其进行了性能仿真，仿真结果显示驱动电路性能优越。开发出与0．8μm标准CMOS工艺......
[期刊论文] 作者：宋李梅,杜寰,夏洋,,
来源：真空电子技术 年份：2007
提出了矩阵寻址方式的场发射驱动电路。设计出16级灰度显示的阴极驱动电路以及栅极驱动电路,并对其进行了性能仿真,仿真结果显示驱动电路性能优越。开发出与0.8μm标准CMOS工...
[期刊论文] 作者：李浩,任建伟,杜寰,
来源：电子学报 年份：2019
提高射频功率器件的鲁棒性有利于增强器件的抗静电放电能力和抗失配能力.为了直观地了解器件内部发生的电学过程,本文研究了高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS (Radio Frequency Later...
Investigation of the polysilicon p-i-n diode and diode string as a process compatible and portable E
[期刊论文] 作者：姜一波,杜寰,韩郑生,,
来源：半导体学报 年份：2012
The polysilicon p-i-n diode displays noticeable process compatibility and portability in advanced technologies as an electrostatic-discharge(ESD) protection dev...
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