钱铌隧道结的制备及其应用研究

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全铌隧道结制备和它可能的应用研究是该论文的主要工作;此外在论文中还对数字dc SQUID的热噪声作了理论计算.制备全铌隧道结的难点首先是得到界面清晰的Nb/Alox-Al/Nb夹层结构,为此研究人员借助XRD、SEM、TEM以及多层膜的阳极氧化微分谱等手段对铌(Nb)膜的临界温度(Tc),应力,结晶情况,铝(Al)膜对下层铌膜的覆盖以及多层膜界面的清晰程度等情况等进行了研究,以获得的工艺参数;分析了隧道结临界电流随氧化势垒的变化,得到了临界电流密度随氧化压力的变化曲线,使得隧道结的临界电流密度的可控范围拓宽到0.1KA/cm<2>-2KA/cm<2>.通过采用增大曝光强度,缩短曝光时间,减小了杂散背景光场的影响;同时就用PEB(p0ost exposure bake)技术,消除了曝光过程中的驻波效应,获得了高的侧边陡度,成功地制备出了微米量级的光刻胶图形,从而将工艺的结构尺寸减小到2-3μm.论文在全铌隧道结的应用方面作了尝试,其中制备了dc SQUID器件.目前微米量级隧道结的品质参量Vm,在4.2K能作到ˉ30mV,已经适合于工作频率在200GHz以上的SIS混顿器.对数字dc SQUID进行力学模拟和数值计算,求解出数字dc SQUID热噪声的数学表达式,得到了它的能量分辨率与环境温度的T<6/5>关系和随偏置电流频率的1/ω.
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