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提出了矩阵寻址方式的场发射驱动电路。设计出16级灰度显示的阴极驱动电路以及栅极驱动电路，并对其进行了性能仿真，仿真结果显示驱动电路性能优越。开发出与0．8μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS工艺，有效提高了驱动电路的集成度，并降低了生产成本。成功研制出用于场发射驱动电路输出端的100V高低压电平转换电路，实验测得空载情况下电路的上升时间和下降时间分别为35，60ns，能够满足高压驱动电路的频率要求。