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[学位论文] 作者:李牧菊,, 来源:中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所) 年份:2002
本论文围绕高清晰度液晶显示用薄膜晶体管进行研究,通过材料制备工艺及器件结构的优化,实现适用于大容量、高品质液晶显示的寻址和驱动的薄膜晶体管的开发。 从非晶硅及多晶......
[会议论文] 作者:李牧菊, 来源:2012中国平板显示会议 年份:2012
[期刊论文] 作者:李牧菊,杨柏梁, 来源:半导体学报 年份:2002
应用场助热电子发射(thermionic field emission)模型合理地分析了多晶硅薄膜晶体管中显著漏电流与器件参数及电极电压等因素间的内在关系,讨论了源漏轻掺杂结构在抑制漏电流方...
[期刊论文] 作者:李牧菊,杨伯梁, 来源:现代显示 年份:1999
考虑栅信号线电阻、栅民源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容所构成的RC常数对栅延迟的影响,建立了a-SiTFT-LCD的等效电路模型。讨论了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及民极材料的......
[期刊论文] 作者:李牧菊,杨柏梁, 来源:液晶与显示 年份:1999
建立了a-SiTFTAMLCD的等效电路模型,综合考虑栅信号线电阻,栅与源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容构成的RC常数,模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸,显示分辨率及信号电极材料的依赖关系,为......
[期刊论文] 作者:李牧菊,杨柏梁, 来源:液晶与显示 年份:1999
用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)并进行了退火实验,利用红外吸收光谱(IR)和金相显微镜研究了薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象,得出材料组成及热稳定性对衬定温......
[期刊论文] 作者:纪世阳,李牧菊,杨柏梁, 来源:液晶与显示 年份:2001
采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流, 同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果, 使漏极电流降低到10-11A量级, 晶体管的开关电流比值达到106量级。 模拟研......
[期刊论文] 作者:纪世阳,李牧菊,王宗凯,杨柏梁, 来源:液晶与显示 年份:2001
针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题, 采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏, 增加晶体管的开关电流比值. 通过模拟轻掺杂区不同的物理参数, 如掺杂...
[期刊论文] 作者:袁剑峰, 杨柏梁, 朱永福, 李牧菊, 刘传珍, 吴渊, 廖, 来源:液晶与显示 年份:1999
介绍了 a Si∶ H T F T 开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作。研制了 a Si∶ H T F T 单管器件, 其开关电流比达到 6 个数量级, 为最终研制a Si∶ H T F T A M L......
[期刊论文] 作者:李牧菊,杨柏梁,朱永福,袁剑峰,刘传珍,廖燕平,吴渊, 来源:液晶与显示 年份:1999
用等离子体增强化学气相淀积( P E C V D)制备了氢化非晶硅薄膜(a Si∶ H)并进行了退火实验, 利用红外吸收光谱( I R)和金相显微镜研究薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象, 得出材料组成及热......
[期刊论文] 作者:李牧菊,杨柏梁,袁剑峰,朱永福,刘传珍,吴渊,廖燕平, 来源:现代显示 年份:1999
考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容所构成的RC常数对栅延迟的影响,建立了a_SiTFT_LCD的等效电路模型。讨论了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示...
[期刊论文] 作者:李牧菊,杨柏梁,朱永福,刘传珍,袁剑峰,吴渊,廖燕平, 来源:液晶与显示 年份:1999
建立了a-SiTFTAMLCD的等效电路模型,综合考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容构成的RC(ResistivityCapacitance)常数,模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖......
[期刊论文] 作者:刘传珍,杨柏梁,李牧菊,朱永福,袁剑峰,寥燕平,吴渊,黄锡珉, 来源:液晶与显示 年份:1999
建立了有源矩阵液晶显示器中周边驱动缓冲寄存器的等效电路模型.利用TFT的线性近似和Elmore模型,计算了周边驱动电路中的信号失真,讨论了栅延迟与金属栅电极材料的关系及对TF...
[期刊论文] 作者:刘传珍,杨柏梁,李牧菊,朱永福,袁剑峰,寥燕平,吴渊,黄锡珉, 来源:液晶与显示 年份:1999
建立了有源矩阵液晶显示器中周边驱动缓冲寄存器的等效电路模型。利用 T F T 的线性近似和 Elm ore 模型, 计算了周边驱动电路中的信号失真, 讨论了栅延迟与金属栅电极材料的关系及对 T......
[期刊论文] 作者:王大海,杨柏梁,吴渊,刘传珍,李牧菊,李轶华,张玉,廖燕平, 来源:液晶与显示 年份:2000
利用磁控溅射的方法制备了 Cr、Ta、Al、Mo、Mo W等金属薄膜 ,采用 XRD、SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体流量等因素对...
[期刊论文] 作者:刘传珍,杨柏梁,李牧菊,吴渊,张玉,李轶华,邱法斌,黄锡珉, 来源:液晶与显示 年份:2000
利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜,采用XRD、SEM等分析手段,进行了表征与分析,对晶化的阈值能量密度进行了计算,并对激光退火的机理进行了探讨。研究结果表明:a-Si晶化的阈值能量密......
[期刊论文] 作者:朱永福,李牧菊,杨柏梁,刘传珍,廖燕平,袁剑锋,刘雅言,申德振, 来源:液晶与显示 年份:1999
利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积(PECVD)方法淀积的a-SiNx:H薄膜。分析了气体流量比(R)、衬底温度(Ts)以及射频功率(P(rf))的变化对a-SiNx:H薄膜中SiH、NH和NH2基团的吸收峰强度的影响,同时研究了退火条件对a-SiNx:H薄膜......
[期刊论文] 作者:刘传珍,杨柏梁,朱永福,李牧菊,袁剑峰,王刚,吴渊,刘洪武,黄锡珉, 来源:液晶与显示 年份:1999
介绍了薄膜晶体管(TFT),特别是p-Si(多晶硅)TFT矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性,对器件参数的选择进行了分析The working principle, structure, characteri......
[期刊论文] 作者:袁剑峰,杨柏梁,朱永福,李牧菊,刘传珍,吴渊,廖燕平,王刚,邵喜, 来源:液晶与显示 年份:2020
[期刊论文] 作者:刘传珍,杨柏梁,袁剑峰,李牧菊,吴渊,寥燕平,张玉,王大海,黄锡珉, 来源:半导体学报 年份:2001
利用金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/ Ni的低温晶化 ,MIC晶化温度能降低到 44 0℃ .采用 XRD、Raman、SEM、XPS等分析手段研究了 Ni-...
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