本论文围绕高清晰度液晶显示用薄膜晶体管进行研究，通过材料制备工艺及器件结构的优化，实现适用于大容量、高品质液晶显示的寻址和驱动的薄膜晶体管的开发。 从非晶硅及多晶硅薄膜晶体管(简称a-Si／p-Si TFT)的基本薄膜材料a-Si：H及p-Si出发，在充分了解材料结构特点的基础上，深入分析了它们的导电机制及制约材料电学特性的主要因素。以此为指导，分别采用等离子增强化学气相淀积(简称PECVD)和低温激光退火的方法，优化制备了a-Si：H及p-Si薄膜材料，通过红外透射光谱(IR)、电子扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)及原子力显微镜(AFM)等检测手段对材料组分及结构进行了详细的分析和表征，获得了高品质的a-Si：H及p-Si薄膜。 对于TFT器件的设计，首先建立了a-Si TFT的电学模型，综合TFT器件及液晶像素对信号驱动和图像显示的要求，优化设计并成功制备了开关比大于6个数量级的a-Si TFT及3英寸视频显示样机。其次，针对目前液晶领域的开发热点，p-Si TFT技术，我们从制约p-Si TFT应用的关键问题，关态漏电流严重的问题出发，依据材料结构特点，建立了p-Si TFT关态漏电流的电学模型，阐明了漏电流的产生机理，并提出了相应的解决方案。在此基础上，优化设计了源漏轻掺杂(LDD)结构的p-Si器件，其关态漏电流相对简单结构的p-Si TFT要低至少3个数量级，从而实现了漏电流的抑制及高开关比p-Si TFT的设计。 此外，考虑大面积、高分辨率液晶显示器中因信号延迟而导致的图像失真问题，通过合理简化液晶矩阵的等效电路，对信号延迟现象进行丁分析模型的建立和参数的模拟，为显示器件的设计和制备提供了参考。在此基础上，开发了低阻铝合金及双层薄膜材料，通过掺杂或连续淀积的方式，获得了电阻率较低、热稳定性较强的Al-Cr、Al-Ta合金和Al-Mo双层薄膜。