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[期刊论文] 作者：石岩松,张青兰,
来源：特区与港澳经济 年份：1996
1994年,成立才一年的航天九院,正在京召开一个规格很高的部级技术鉴定会,国防科工委副主任张学东、中国科学院陈芳允、罗沛霖、王守武等七名院士以及其它国内外知名专家、学...
[期刊论文] 作者：朱恩均,,
来源：物理通报 年份：1957
在讨论磁现象特别是介质磁化的问题时,从永久磁铁出发,根据和静电场的类比,引入“磁荷”和“磁偶极子”模型是很自然的。但是,电流的磁效应和近代关于物质结构的知识,都...
[期刊论文] 作者：朱恩均,
来源：半导体学报 年份：1980
本文提出了一种具有渐变沟道“截面”(电导率)的新型场效应管.在通常的场效应管中,高频电流通过沟道时将因沟道电阻及其侧面电容的 R C效应而衰减,但是在一只 GaAs变截面场效...
[期刊论文] 作者：朱恩均,
来源：电子学报 年份：2004
采用非晶态硅作为双极型微波功率晶体管的发射极材料,利用这种硅层的垂直电阻的镇流作用,能够消除发射极边缘的注入电流集边现象。与通常晶体管相比,FFJ的有效发射极面积对基...
[期刊论文] 作者：朱恩均,
来源：电子学报 年份：1987
本文提出一种能在毫米波很好工作的三端半导体器件—异质结势垒控制飞的电子晶体管(简称势垒飞越晶体管)。器件的基本结构相似于“热电子晶体管”,其性能兼有通常场效应晶体...
[期刊论文] 作者：张全,朱恩均,
来源：电子学报 年份：1981
用多晶发射极工艺制成了超增益晶体管,当I_c从1mA减小到20nA时,h_(FE)始终保持在2000左右。Using polycrystalline emitter process made of super gain transistor, h_ (F...
[期刊论文] 作者：林绪伦,朱恩均,
来源：半导体学报 年份：1995
本文对于由非昌硅和单晶硅两个区域构成的发射区结构，计算了利用非晶硅垂直电阻的镇流作用后发射结直流电流以密度的横向颁并给出了发射极有效半宽度与发射区方块电阻及基区方......
[期刊论文] 作者：林绪伦,朱恩均,
来源：电子学报 年份：1995
对于新型Ｎ＾＋ＩＰ发射结结构的微波功率管，采用一维数值模拟，分区计算了它的渡越时间，结果表明其截止频率的小电流特性可以获得明显的改善。...
[会议论文] 作者：林绪伦,朱恩均,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
...
[期刊论文] 作者：朱恩均,顾慰华,
来源：电子学报 年份：2004
本文提出了一种利用异质结注入和电子飞越运动的GaAs双极晶体管,预期可以得到优异的性能。文中给出了消除GaAs表面有害影响的方法,这是实现这一器件的关键。This paper pre...
[期刊论文] 作者：徐剑虹,陈坤基,朱恩均,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
We present a new deposition method of amorphous GaP films-Plasma Enhanced Chemical Transport Deposition (PECTD) and have successfully obtained a series of a-GaP...
[期刊论文] 作者：朱恩均,王因生,熊承堃,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
本文报道一种新型二维电子气异质结双极型晶体管(2DEG HBT)的实验结果。所谓2DEG HBT指的是采用宽禁带发射极材料的异质结双极型晶体管(HBT),由于发射结导带差等原因在异质...
[期刊论文] 作者：林绪伦,朱恩均,黄敞,肖硕,
来源：半导体学报 年份：1991
本文对于新型的负电子微分迁移率场效应管内部的电位、沿沟道方向的电场以及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值模拟,结果表明通过适当选取器件尺寸、掺杂分布以及偏置电压,...
[期刊论文] 作者：魏东平,李国辉,朱恩均,周均铭,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1992
在研制超高电流增益AlGaAs/GaAs HBT的基础上,对有N~+-i-P型发射结的HBT的漏电特性做了实验研究,研制出的HBT具有较好的小电流特性.还分析了N~+i-p型结构的特点及HBT外基区表...
[期刊论文] 作者：徐剑虹,盛文伟,熊承堃,朱恩均,陈坤基,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
非晶态半导体材料是一种新型的电子材料,由于它具有特殊的物理性质,使非晶态半导体研究成为较热门的课题之一.对氢化非晶硅(α-Si:H),非晶锗(α-Ge)及非晶态硫系材料的研...
[期刊论文] 作者：张明,刘立峰,盛文伟,刘良俊,朱恩均,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
异质结构的HBT和HEMT由干具有高频、高速的巨大潜力,越来越受到人们重视,并已进行了大量研究。但由于这两种结构都要求具有近乎理想的异质界面,一般需要采用昂贵的外延设备(M...
[期刊论文] 作者：王因生,盛文伟,汪建元,张晓明,熊承堃,朱恩均,
来源：半导体学报 年份：1989
本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅（n+a-Si∶H）作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21...
[期刊论文] 作者：李国辉,韩德俊,韩卫,姬成周,朱恩均,周均铭,黄绮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管（ＧＲ－ＰＴＨＰＴ）。在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽，基极电流基本为零，输出噪声电流大大下降，使光电增益提......
[期刊论文] 作者：王因生,熊承堃,盛文伟,张晓明,汪建元,茅保华,朱恩均,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
当前,随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积两种异质结工艺技术的日趋完善,化合物半导体材料的HBT器件其高频性能不断提高。据报道,GaAs/GaAlAs HBT器件的特征频率f_T...
[期刊论文] 作者：韩德俊,李国辉,韩卫,魏东平,阎凤章,朱恩均,周均铭,黄绮,,
来源：高技术通讯 年份：1993
研究了一种新型AlGaAs/GaAs穿通型光电晶体管。其独特的发射极和隔离环电极结构能消除器件周边的表面复合,减小发射极面积和电容。从而可以提高器件的灵敏度和工作速度,并改...
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