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多晶发射极超增益晶体管

来源 :电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：redpig

【摘 要】

：

用多晶发射极工艺制成了超增益晶体管,当I_c从1mA减小到20nA时,h_(FE)始终保持在2000左右。 Using polycrystalline emitter process made of super gain transistor, h_ (F

【作 者】

：

张全 朱恩均 

【机 构】

：

北京电子管厂,北京电子管厂

【出 处】

：

电子学报

【发表日期】

：

1981年02期

【关键词】

：

晶体管 性能曲线 始终 献卿 晶体管测试仪 微电流 工艺步骤 器件 差分对 材人 

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用多晶发射极工艺制成了超增益晶体管,当I_c从1mA减小到20nA时,h_(FE)始终保持在2000左右。 Using polycrystalline emitter process made of super gain transistor, h_ (FE) remained at around 2000 when I_c from 1mA to 20nA.

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