【摘 要】
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本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅（n<sup>+</sup>a-Si∶H）作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21
【机 构】
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南京电子器件研究所,北京大学微电子研究所
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本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅（n<sup>+</sup>a-Si∶H）作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V<sub>cB</sub>=6V,I<sub>c</sub>=15mA),发射极Gummel数G<sub>B</sub>值已达1.4×10<sup>14</sup>Scm<su
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