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[期刊论文] 作者：曹福年,,
来源：医学信息 年份：2008
1Wiley InterScience（英文文献期刊）Wiley Interscience是John Wiely＆ Sons公司创建的动态在线内容服务，1997年开始在网上开通。通过Inter—Science，Wiley公司以许可协议形式向用...
[期刊论文] 作者：曹福年,
来源：半导体学报 年份：2004
本文描述一种电解液为KOH水溶液的阳极腐蚀法.通过与一些有效的缺陷显示化学腐蚀剂对照,证实此法能显示N~+-GaAs任何取向平面的生长条纹、位错和碟形坑等多种缺陷.这些碟形坑...
[期刊论文] 作者：齐军,曹福年,,
来源：医学情报工作 年份：1989
作者于1988年对天津市不同级别医药科技人员就文献语种、文献类型、获取途径文献年代,查阅时间、获得关键性文献的难易程度,检索工具及情报服务项目的评价等方面进行了问卷与...
[期刊论文] 作者：曹福年,杨锡权,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入瞬态电流谱(OTCS)和原子吸收光谱等方法研究...
[期刊论文] 作者：曹福年,卜俊鹏,
来源：半导体学报 年份：1998
本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回擂曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种定......
[期刊论文] 作者：林兰英,曹福年,
来源：材料导报 年份：1993
概述了目前半导体材料研究最有代表性的超薄层微结构材料的新进展。由于MBE、MOCVD和CBE等先进材料生长设备的创立和完善,大大促进了超薄层微结构材料的迅速发展,使微电子和...
[会议论文] 作者：刘明焦,曹福年,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：胡洁,丁宁,关静,曹福年,张磊,
来源：信息系统工程 年份：2009
搜索引擎自1994年面世后，迅速成为人们网上搜索的有效工具。目前，尽管搜索引擎的发展已较成熟，但要准确、快速地查找所需信息却越来越困难，在这种情况下垂直搜索引擎应运而生。垂......
[期刊论文] 作者：林兰英,叶式中,何宏家,曹福年,
来源：半导体学报 年份：1987
掺等电子杂质铟生长了低位错密度的半绝缘砷化镓晶体.晶体中位错腐蚀坑密度达到约10~2/cm~2数量.晶体中没有观察到铟的微沉淀物.Indium-doped electronic impurities indiu...
[会议论文] 作者：刘明焦, 曹福年, 白玉珂, 惠峰, 吴让元, 卜俊鹏, 何,
来源： 年份：1992
1前言GaAs超高速集成电路,微波单片集成电路和光电集成是以直接离子注入工艺在SI—Ga As晶片上进行的,因此需要高度完整和均匀的半绝缘砷化镓材料。随着集成度的提高,目...
[期刊论文] 作者：曹福年,杨锡权,刘巽琅,吴让元,惠峰,何宏家,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入瞬态电流谱(OTCS)和原子吸收光谱等方法研究...
[期刊论文] 作者：何宏家,曹福年,范缇文,白玉珂,费雪英,王凤莲,
来源：半导体学报 年份：1981
本文用化学腐蚀、阳极腐蚀法、光学显微镜和透射电子显微镜研究了水平生长的掺Te-GaAs单晶的微缺陷和微沉淀物.获得了微缺陷与位错的相对分布关系,发现这些缺陷及其存在形式...
[期刊论文] 作者：郑红军,卜俊鹏,曹福年,白玉柯,吴让元,惠峰,何宏家,
来源：稀有金属 年份：1999
采用ＴＥＭ观测与Ｘ射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法，分析了ＳＩＧａＡｓ晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度。比较两种方法测量结果上的差异，得出了ＴＥＭ观测到的只是晶片......
[期刊论文] 作者：郑红军,卜俊鹏,何宏家,吴让元,曹福年,白玉珂,惠峰,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
采用ＴＥＭ、ＸｒａｙＲｏｃｋｉｎｇＣｕｒｖｅ等测试的方法，对ＧａＡｓ晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析，探讨了碱性ＳｉＯ２胶体水溶液加入不同浓度的电解质（ＮａＯＣｌ）后所发生胶粒带电程度的变化，从胶体理论的角度解释了......
[期刊论文] 作者：何宏家, 曹福年, 范缇文, 白玉珂, 费雪英, 王凤莲, 褚一,
来源：半导体学报 年份：1983
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[期刊论文] 作者：何宏家,曹福年,范缇文,白玉珂,费雪英,王凤莲,褚一鸣,
来源：半导体学报 年份：1983
本文采用TEM和阳极腐蚀法、化学腐蚀法,研究了原生掺Si砷化镓单晶中的微缺陷及其行为;并确定了这些缺陷的性质.结果表明,在掺Si砷化镓晶体中,当其电子浓度n≥3 ×1015cm-3时,...
[期刊论文] 作者：吴灵犀,张泽华,陈廷杰,万寿科,何宏家,曹福年,孟庆惠,李永康,
来源：红外研究 年份：2004
半绝缘GaAs单晶是制备多种半导体器件的衬底材料,在外延生长等工艺条件下受热后往往产生一低阻表面层,伴随着电阻率变化还会有表面导电类型的转变和光致发光谱的变化。这些...
[期刊论文] 作者：曹福年,卜俊鹏,吴让元,郑红军,惠峰,白玉珂,刘明焦,何宏家,
来源：半导体学报 年份：1998
本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种定......
[期刊论文] 作者：周伯骏,钟兴儒,曹福年,林兰英,达道安,吴开林,黄良甫,郑松辉,谢燮,
来源：半导体学报 年份：1988
本文介绍利用一种将单晶锭条两端固定,中间可以重熔以建立悬浮熔区的反应容器,在回地卫星的微重力环境下用45分钟从熔区两端相向生长出中部直径为1cm,长度分别为10mm和7mm的...
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