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[期刊论文] 作者：智,,
来源：河北工学院学报 年份：1985
材料研究中心副主任兼半导体材料研究室主任徐岳生同志自一九八二年起主持进行了“中子嬗变掺杂硅的制备及其在中小功率器件和硅压阻器件中的应用”研究。截止八四年底在几...
[期刊论文] 作者：,
来源：河北工业大学学报 年份：1999
河北省自然科学基金项目（基金号：５９５０２４）课题“ＧＡｓ缺陷图谱的研究”，日前通过河北省科委组织的技术鉴定．该课题是由刘文杰教授任主研，鞠玉林教授、徐岳生教授及梁秀红、江卫红等教师组成的课...
[期刊论文] 作者：,
来源：中国科技奖励 年份：1995
１９９５年国家发明奖的评审、推荐项目推荐部门天津市０１－４－００５直拉硅片缺陷的控制与利用徐岳生，张维连，任丙彦，鞠玉林，陈炳贤，高秀清０５－４－００１连杆式子午胎成型鼓及其型综合权函数方法王玉新，陆锡年...
[期刊论文] 作者：徐岳生,
来源：河北工业大学学报 年份：2004
综述了制造集成电路(IC)用直拉硅单晶生长的现状与发展.对大直径生长用磁场拉晶技术,硅片中缺陷的控制与利用(缺陷工程),大直径硅中新型原生空位型缺陷,硅外延片与SOI片,太阳...
[期刊论文] 作者：徐岳生,
来源：青岛轻工科技 年份：1992
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[期刊论文] 作者：徐岳生,,
来源：河北工学院学报 年份：2004
我院受四机部中国器件总公司的委托,于今年暑假(七月二十七日至八月二十三日)由自动化系半导体材料教研室举办了一期硅材料中的杂质与缺陷对器件性能影响学习班。40名学员来...
[期刊论文] 作者：徐岳生,,
来源：酿酒 年份：1985
编辑同志:1983年4月初寄去“酵母培菌工作浅见”一稿,按三个月未收回信作者可自行处理的常例,我将该稿稍事修改后投寄《山东轻工科技》,并刊用于12月出版的第4期。后见贵刊1...
[期刊论文] 作者：张雯,徐岳生,
来源：材料导报 年份：2005
设计制作了由永磁材料构成的，能提供均匀磁场的环形磁场。在锗熔体范围内引入此磁场提供的垂直譬场，采用旋转转子法，测定了不同温度不同磁场强度条件下锗熔体的粘度。结果表明，不......
[期刊论文] 作者：张雯,徐岳生,
来源：功能材料 年份：2007
采用旋转转子法，测量研究了不同垂直磁场条件下，不同温度时锗熔体的磁粘度。结果表明，随着磁场强度的增加，锗熔体的粘度降低了，而且粘度的降低和磁场强度不呈单调关系。用“磁场直......
[会议论文] 作者：徐岳生,王红梅,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,
来源：稀有金属 年份：1991
本文研究了直拉硅单晶和中子嬗变掺杂直拉硅单晶在1000℃、1100℃和1200℃不同恒温时间的退火行为,发现NTD CZ-Si在1100℃、4h退火即可完成内吸杂(IG)处理,并进行了简单的解...
[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,
来源：稀有金属 年份：1992
原始电阻率不同的NTD CZ-Si单晶,消除辐照损伤、恢复电参数所需的最低退火温度不同。原始电阻率越低,恢复电学性能所需的温度也越低。当掺杂比大于5时,这种差异变得不明显了...
[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,
来源：稀有金属 年份：1989
介绍了用于功率器件的 NTD CZ-Si 原始晶体导电类型和电阻率测量精度对 NTD CZ-Si 目标电阻率准确性和均匀性的影响,提出了原始 CZ-Si 热处理的方法及中照后的 NTD CZ-Si 的...
[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,,
来源：功能材料 年份：1991
采用四探针法测电阻率、正电子湮灭法和DLTS法测缺陷和缺陷能级变化,研究了NTDCZ Si在350～1200℃等温退火时辐照缺陷的变化,确定了用于制造LSI、压敏器件等的NTDCZ Si消除辐照...
[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,
来源：电子科学学刊 年份：1991
中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除机理与直拉硅不同,它是辐照缺陷与硅中氧杂质相互作用的结果。在1100℃、热退火4h即可完成中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除处理。...
[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,
来源：电子科学学刊 年份：1993
利用快中子辐照在ｐ型硅片中产生辐照缺陷，利用其作为热处理时硅中氧沉淀的成核中心，在硅片表面层形成洁净区和在体内形成吸杂区，能有效地抑制硅片表面氧化雾缺陷的形成。提出了较......
[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
利用中子嬗变掺杂(NTD)技术制备的CZSi(NTDCZSi)片在高温退火时,由于辐照缺陷与直拉硅中杂质氧的相互作用,可以加速内吸除(IG)效应的实现,获得理想的表面清洁区和体内吸杂区....
[期刊论文] 作者：徐岳生,李养贤,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
论述了砷化镓晶体的等效微重力生长的原理和所采用的方法，并讨论了主要结果。...
[会议论文] 作者：王文襄,徐岳生,
来源：第三届全国敏感元件与传感器学术会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,,
来源：稀有金属 年份：1991
本文研究了直拉硅单晶和中子嬗变掺杂直拉硅单晶在1000℃、1100℃和1200℃不同恒温时间的退火行为,发现NTD CZ-Si在1100℃、4h退火即可完成内吸杂(IG)处理,并进行了简单的解...
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