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综述了制造集成电路(IC)用直拉硅单晶生长的现状与发展.对大直径生长用磁场拉晶技术,硅片中缺陷的控制与利用(缺陷工程),大直径硅中新型原生空位型缺陷,硅外延片与SOI片,太阳电池级硅单和大直径直拉硅生长的计算机模拟,硅熔体与物性研究等进行了论述.
直拉硅单晶生长的现状与发展
【摘 要】
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综述了制造集成电路(IC)用直拉硅单晶生长的现状与发展.对大直径生长用磁场拉晶技术,硅片中缺陷的控制与利用(缺陷工程),大直径硅中新型原生空位型缺陷,硅外延片与SOI片,太阳
【机 构】
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河北工业大学材料学院
【出 处】
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河北工业大学学报
【发表日期】
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2004年02期
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