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采用四探针法测电阻率、正电子湮灭法和DLTS法测缺陷和缺陷能级变化,研究了NTDCZ Si在350～1200℃等温退火时辐照缺陷的变化,确定了用于制造LSI、压敏器件等的NTDCZ Si消除辐照损伤的退火条件,并对实验现象进行了简要的讨论。
NTDCZSi的辐照缺陷退火研究
【摘 要】
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采用四探针法测电阻率、正电子湮灭法和DLTS法测缺陷和缺陷能级变化,研究了NTDCZ Si在350～1200℃等温退火时辐照缺陷的变化,确定了用于制造LSI、压敏器件等的NTDCZ Si消除辐照
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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1991年4期
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