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[期刊论文] 作者：乔瑛,张义门,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2000
提出一种可用于亚微米金属氧化物场效应晶体管的器件模型，它兼具了形式简洁和精度相当于ＢＳＩＭ３模型的特点，在此基础上讨论了器件电性能与结构之间的关系，设计结果与实验结果符合良好。......
[期刊论文] 作者：张义门,吴拥军,
来源：电子学报 年份：1997
本文在考虑到界面态陷阱的基础上，建立了ＨＥＭＴ的静态和交流小信号解析模型，该模型能够正确地描述ＨＥＭＴ的Ｋｉｎｋ效应和低频偏移效应，并和实验符合相当好。文中还深入讨论了Ｉｎ组分和偏置的影响。......
[期刊论文] 作者：张玉明,张义门,
来源：西安电子科技大学学报 年份：1994
文章介绍了一个基于ＳＵＮ４工作站上新的ＭＯＳ器件的三维模拟集成系统ＸＤＭＯＳ－３Ｓ的基本理论。重点阐述了方程的离散化方法、数值算法、与ＳＵＰＥＲＭⅢ的接口以及其良好的图形显示界面。ＸＤＭＯＳ－３Ｓ是一个从工艺模拟到器件......
[期刊论文] 作者：尚也淳,张义门,
来源：西安电子科技大学学报 年份：1999
用半导体抗辐照的机理说明了ＳｉＣ材料具有良好的抗辐照特性，实验数据的对比表明，ＳｉＣ在器件发光二极管（ＬＥＤ），结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）和金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）上对辐照影响不敏感。从原理上预......
[期刊论文] 作者：张义门,滕建旭,
来源：电子科学学刊 年份：1991
本文提出了能量输运问题的二维MOSFET的数值模拟,其中计入了产生、复合以及载流子的温度梯度对器件特性的影响;还提出了改进的迁移率模型。对微米和亚微米MOSFET样品的模拟结果表明,本文所提出的模型和方法与实验符合得很好。......
[期刊论文] 作者：张义门,任建民,
来源：西安电子科技大学学报 年份：1989
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[期刊论文] 作者：郭红霞,张义门,等,
来源：核电子学与探测技术 年份：2001
用Monte-Carlo光子-电子耦合输运程序计算了真实半导体封装Kovar结构对不同能量X射线在硅中的剂量增强因子，并与内层不涂金的Kovar结构进行比较，计算了界面处两种结构进入硅的...
[期刊论文] 作者：尚也淳,张义门,
来源：核电子学与探测技术 年份：2000
基于沟道调效应、串联电阻效应的考虑，首先建立了一个和实验室符合很好的６Ｈ－ＳｉＣＪＦＥＴ的模型，在该模型中采用了两种电离杂质模型和Ｃａｕｇｈｅｙ－Ｔｈｏｍａｓ方程，接着在分析中子辐照对ＳｉＣ ＪＦＥＴ电参数如电子浓度、迁移率、电......
[期刊论文] 作者：张玉明,张义门,
来源：微电子学 年份：1994
高度发达的信息社会急需先进的电子封装技术，本文概述了电子封装技术的现状和发展趋势。从芯片级封装、一级封装、封装和基板的连接以及二级封装几个方面重点介绍了封装中的先......
[期刊论文] 作者：张玉明,张义门,
来源：半导体学报 年份：1997
本文提出了新的模拟ＨＢＴ性能的流体动力学传输模型，考虑了能量（动量）方程中的各个物理量，不同能谷散射对能量弛豫时间影响以及异质结能带的各种效应。分析了发射结构和基区Ａｌ组分的缓变......
[期刊论文] 作者：尚也淳,张义门,
来源：半导体学报 年份：2000
用中子辐照在６Ｈ－ＳｉＣｐｎ结中引入的复合中心和深能级陷阱解释了ＳｉＣｐｎ结辐照后电特性退化的现象，并推导了辐照后ＳｉＣｐｎ结理想因子与外加电压的关系，给出了ＳｉＣｐｎ结中子辐照电特性退化的模型，模拟结果和实验数......
[期刊论文] 作者：杨林安,张义门,等,
来源：半导体学报 年份：2001
根据4H－SiC高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点，对适用于Si和GaAsMESFET的直流I－V特性理论进行了分析与修正，采用高场下载流子速度饱和理论，以双曲正切函数作为表征I......
[期刊论文] 作者：尚也淳,张义门,
来源：半导体学报 年份：2000
从理论上对电子辐照在４Ｈ－ＳｉＣ中引入的缺陷数量和各种缺陷能级进行了分析。结果表明，ＥＨ６和ＥＨ７缺陷能级在４Ｈ－ＳｉＣ中起着有效复合中心的作用。采用ＳＲＨ模型来估计电子辐照下４Ｈ－ＳｉＣ的少子寿命，并给出了电子辐照下......
[期刊论文] 作者：杨林安,张义门,等,
来源：半导体学报 年份：2002
采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法，并结合Statz、Angelov等经验模型的描述方法，提出了常温下针对4H-SiC射频功率MESFET的大信号非线性电容模型。此模型在低...
[期刊论文] 作者：张义门,滕建旭,,
来源：Journal of Electronics(China) 年份：1992
The two-dimensional numerical simulation of energy transport for MOSFETs ispresented,in which the effect of generation,recombination and temperature gradient of...
[期刊论文] 作者：任建民,张义门,,
来源：Journal of Electronics(China) 年份：1990
A novel sparse matrix technique for the numerical analysis of semiconductor devicesand its algorithms are presented.Storage scheme and calculation procedure of...
[期刊论文] 作者：任建民,张义门,
来源：电子科学学刊 年份：1989
本文提出了一种用于半导体器件数值分析的新颖的稀疏矩阵技术及其算法实现。文中详述了该稀疏矩阵的存储方式及计算过程,并与现有的稀疏矩阵技术作了比较,说明该稀疏矩阵用于...
[会议论文] 作者：张义门,李翠平,
来源：全国第六届IC CAD学术年会 年份：1991
...
[会议论文] 作者：张玉明,张义门,
来源：'96全国第六届MIC电路及工艺会议 年份：1996
...
[期刊论文] 作者：张义门,滕建旭,
来源：半导体学报 年份：1991
本文阐述了在考虑载流子能量输运的基础上建立起来的亚微米MOSFET的数值模型.在计入能量弛豫时间和量子沟道展宽效应的基础上提出一种改进的迁移率模型.数值结果表明理论和实...
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