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用半导体抗辐照的机理说明了ＳｉＣ材料具有良好的抗辐照特性，实验数据的对比表明，ＳｉＣ在器件发光二极管（ＬＥＤ），结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）和金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）上对辐照影响不敏感。从原理上预测了ＳｉＣ集成电路的单粒子反转（ＳＥＵ）截面，结果说明ＳｉＣ集成电路具有好的抗ＳＥＵ能力。