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[学位论文] 作者:廖怀林, 来源:北京师范大学 年份:1998
该文用数值分析的方法对异质结光电晶体管做了细致的分析讨论....
[学位论文] 作者:廖怀林, 来源:北京大学 年份:2001
SOI(Silicon-On-Insulator)CMOS技术在RFIC(RadioFrequencyIntegratedCircuits)中应用和体硅CMOS技术相比有着低功耗,高速度,良好的隔离度和线性度以及能够形成高品质的无源...
[期刊论文] 作者:廖怀林,张兴,等, 来源:半导体学报 年份:2001
从数值解源端和饱和点的表面电势出发,考虑模拟电路对SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶导导以及全耗尽和部分耗尽两种...
[期刊论文] 作者:廖怀林,黄如,等, 来源:电子学报 年份:2001
本文基于二端口网络噪声理论和噪声关联矩阵给出了一种可以用于MOSFET's的噪声温度参数(Td,Tg)的直接提取方法。该方法给出了噪声温度参数的显式表达式因而简洁易用,并从噪...
[期刊论文] 作者:肖代福 廖怀林, 来源:现代教师论坛 年份:2013
【摘要】阳光体育运动,它是学校体育工作的重要内容,是实现素质教育的有效途径之一,是学校体育课艺体教学的延伸,也是学校精神文明的窗口。倡导学生主动参与、乐于探究,培养学生交流与合作能力,着眼于学生终身发展,强调项目设置中学生自主、合作、探究,突破传统思维定式......
[期刊论文] 作者:黄如, 叶乐, 廖怀林,, 来源:中国科学:信息科学 年份:2014
可再生能源互联网对电子系统提出了五大要求:高效性、安全性、可靠性、便利性、宽泛性.为了实现上述要求,可再生能源互联网需要多学科、多方面、多层次的创新.微电子技术将会...
[期刊论文] 作者:李琛,廖怀林,黄如,王阳元,, 来源:Chinese Physics B 年份:2008
In this paper,a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS)-compatible silicon substrate optimization technique is proposed to achieve effective isolation. T...
[会议论文] 作者:王君逸,廖怀林,叶乐,黄如, 来源:第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份:2014
低功耗高速高精度的模数转换器具有广泛的应用范围,本文提出了一种结合电压域转换与时间域转换的两级流水线型模数转换器.该模数转换器的前级产生电压残差,但是没有放大.后级利用比较器的延迟时间与输入电压之间的关系对电压残差进行量化同时,本文还利用TDC完成......
[期刊论文] 作者:侯中原, 刘军华, 廖怀林, 张兴,, 来源:北京大学学报(自然科学版) 年份:2014
提出一种用于北斗二代/GPS兼容系统的自动增益控制策略,并采用数模混合的结构实现55 dB增益控制范围及简单的反馈控制环路。此策略通过复用模数转换器的采样结果,自动调整电...
[期刊论文] 作者:李琛,赵宇航,陈龙,刘军华,廖怀林,, 来源:中国集成电路 年份:2012
本文阐述了一种应用于医疗探测的工作在407~425MHz频段的电感复用射频前端芯片。本射频前端芯片由超低功耗电流复用LNA、Mixer和高发射效率PA构成。本文提出了一种新型的电感...
[期刊论文] 作者:侯中原,刘军华,廖怀林,张兴, 来源:北京大学学报:自然科学版 年份:2014
提出一种用于北斗二代/GPS兼容系统的自动增益控制策略,并采用数模混合的结构实现55dB增益控制范围及简单的反馈控制环路。此策略通过复用模数转换器的采样结果,自动调整电压控......
[期刊论文] 作者:廖怀林,张兴,黄如,王阳元, 来源:半导体学报 年份:2001
从数值解源端和饱和点的表面电势出发 ,考虑模拟电路对 SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶可导以及全耗尽和部分耗尽两...
[期刊论文] 作者:廖怀林,黄如,张兴,王阳元,, 来源:电子学报 年份:2004
本文基于二端口网络噪声理论和噪声关联矩阵给出了一种可以用于MOSFET′s的噪声温度参数(Td,Tg)的直接提取方法.该方法给出了噪声温度参数的显式表达式因而简洁易用,并从噪声...
[会议论文] 作者:邓志欣,杨利,廖怀林,黄如, 来源:2005年全国超宽带无线通信技术学术会议 年份:2005
本文提出一种新型基于PCB板可应用于UWB系统的微带天线.该天线以1.6mm的FR4为衬底,采用双层板工艺.通过尺寸优化,所得天线面积为30mm×35mm.使用基于Momentum电磁场仿真,结果...
[会议论文] 作者:廖怀林,张兴,黄如,王阳元, 来源:第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份:1999
该文给出了一个含有速度过冲效应SOI/MOS器件解析模型。速度过冲效应在模型中被考虑而不显著地增加模型的复杂性和计算时间。模型的计算结果可以和沟道长度为0.15微米的SOIMOSFETI-V实验曲线吻合较好......
[期刊论文] 作者:宋睿丰,廖怀林,黄如,王阳元,, 来源:北京大学学报(自然科学版) 年份:2007
采用标准0.35μm SiGe HBT工艺设计了工作频段在3.1~10.6GHz的超宽带低噪声放大器。从宽带电路和高频电路设计的器件选择、电路结构选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计。...
[期刊论文] 作者:宋睿丰,廖怀林,黄如,王阳元,, 来源:电子器件 年份:2007
以设计低电压LNA电路为目的,提出了一种采用关态MOSFET中和共源放大器输入级栅漏寄生电容Cgd的CMOS差分低噪声放大器结构.基于该技术,采用0.35μmCMOS工艺设计了一种工作在5....
[期刊论文] 作者:刘军华,廖怀林,殷俊,黄如,张兴, 来源:半导体学报 年份:2006
提出了一种用于宽带、双环路频率综合器的粗调环路结构.该粗调环路由数字电路设计实现,包含逐次逼近寄存器和新结构的频率比较单元两个模块.其中,频率比较单元在一定的参考时间内......
[期刊论文] 作者:刘军华,廖怀林,殷俊,黄如,张兴,, 来源:半导体学报 年份:2006
提出了一种用于宽带、双环路频率综合器的粗调环路结构.该粗调环路由数字电路设计实现,包含逐次逼近寄存器和新结构的频率比较单元两个模块.其中,频率比较单元在一定的参考时...
[会议论文] 作者:夏韬,郭盈,陈龙,叶乐,张兴,廖怀林, 来源:第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份:2014
本文介绍了一个使用正交-差分四相逆D类功率单元设计并实现的适用于特高频射频标签识别系统(UHF RFID)的全数字射频发射前端;为辅助其设计,提出了一种针对正交-差分四相型逆D类功率单元的解析计算模型.本前端在0.18μm标准CMOS工艺下制造,经测试可以在发射23.8d......
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