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该文给出了一个含有速度过冲效应ＳＯＩ／ＭＯＳ器件解析模型。速度过冲效应在模型中被考虑而不显著地增加模型的复杂性和计算时间。模型的计算结果可以和沟道长度为０．１５微米的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴＩ－Ｖ实验曲线吻合较好。
一个含有速度过冲效应的SOI\\MOS器件模型
【摘 要】
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该文给出了一个含有速度过冲效应ＳＯＩ／ＭＯＳ器件解析模型。速度过冲效应在模型中被考虑而不显著地增加模型的复杂性和计算时间。模型的计算结果可以和沟道长度为０．１５微米的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴＩ－Ｖ实验曲线吻合较好
【机 构】
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大学微电子所
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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