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从数值解源端和饱和点的表面电势出发，考虑模拟电路对SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶导导以及全耗尽和部分耗尽两种工作模式的转变，构建了一个能够满足这些要求的精确的器件模型。同时包含了深亚微米SOI MOSFET的一些二级效应如漏极诱生势垒降低效应（DIBL）、速度饱和交应、自热效等。这个模型的参数相对较少并且精确连续，能够满足在模拟电路设计分析中的应用要求。