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[学位论文] 作者：封先锋,,
来源：西安理工大学 年份：2003
碳化硅是一种新型半导体材料，具有禁带宽、载流子饱和速度高、临界击穿电场强度高、热导率高等特点，可用来制作高温、高频、大功率器件，但材料制备难度大，β碳化硅更是如此。目前......
[会议论文] 作者：刘博,陈治明,封先锋,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文报导对采用PVT法生长的6H-SiC单晶体切片的晶型和晶体结构的Raman光谱和X射线衍射谱分析.结果表明,采用含一定比例同质异晶型(Polytype)的6H-SiC籽晶生长的单晶体仍含有...
[期刊论文] 作者：封先锋,陈治明,蒲红斌,,
来源：人工晶体学报 年份：2010
实验中研究了不同结构参数的测温盲孔对晶体生长面热场的影响,结果分析表明：径向温度梯度和轴向温度梯度与测温盲孔的深度和半径近似成正比关系,但测温盲孔尺寸变化对径向温度......
[期刊论文] 作者：封先锋,陈治明,蒲红斌,,
来源：人工晶体学报 年份：2010
6H-SiC晶体生长过程中单晶锭边缘形成的多晶环影响单晶体的品质。本研究制定了以改进坩埚系统结构为主、调整线圈与坩埚相对位置为辅的多晶环厚度控制方案,利用自制设备进行...
[期刊论文] 作者：马骏,王曦,蒲红斌,封先锋,,
来源：电力电子技术 年份：2016
通过理论分析与计算机仿真方法对1200 V 4H-碳化硅（SiC）结势垒肖特基（JBS）二极管进行了设计与研究，实现了1200V／2A，1200V／5A及1200V／30A三种等级管芯的研制。鉴于非均匀场限环（FLR）保护......
[期刊论文] 作者：黄蕾,封先锋,刘艳涛,吴鹏飞,
来源：中国科技信息 年份：2007
结合实验教学工作中的经验和体会,提出了一些规范实验教学过程的具体措施。实践证明将这些措施运用到实验教学中对于提高教学效果很有帮助。...
[期刊论文] 作者：张超,封先锋,李世光,臧源,马丽,
来源：电气电子教学学报 年份：2021
“半导体物理实验”是专门为“半导体物理”所开设的实验课程,在培养高质量半导体人才的过程中起着关键作用。本文分析了目前半导体物理实验开设现状,针对地方院校特点,结合我校多年实践经验,从实验教师队伍、实验设备、实验教学内容、实验教学方法、实验考核方......
[期刊论文] 作者：马剑平,雷天民,卢刚,封先锋,
来源：西安公路交通大学学报 年份：2000
将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化 ,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体 ,在石墨表面形成 Si C多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约 0...
[会议论文] 作者：张群社;陈治明;封先锋;刘博;,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文采用有限元分析法系统地研究了大尺寸6H-SiC晶体PVT法生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对生长腔、粉源以及生长晶体温度场的影响;分析比较了线圈取不同高度和匝...
[会议论文] 作者：张群社,陈治明,封先锋,刘博,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文研究SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响.分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同,并结合实验研究了生长腔内等温线的不同形状和生长晶体表面形貌之间的关系.数值计算和实验结果均表明,生长腔内等温线的形状直接决定着生长晶体的表......
[期刊论文] 作者：杨勇,封先锋,林涛,臧源,蒲红斌,杨霏,,
来源：智能电网 年份：2015
4H-SiC金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)具有开关频率高、功率密度大、耐高温、抗辐照等优点,在军用和民用领域具有广...
[期刊论文] 作者：蒲红斌,陈治明,封先锋,李留臣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
采用溅射法在液相外延3C-SiC上制备Ni电极,并利用圆形传输线法研究了退火温度对欧姆接触特性的影响,实验表明对于Ni/n-SiC金半接触,经过800～1 000°C高温退火5分钟后,肖特...
[会议论文] 作者：封先锋,陈治明,林生晃,蒲红斌,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
异晶型夹杂是影响SiC晶体品质的关键因素之一.在分析耔晶、杂质、生长温度、生长初期工艺、籽晶装配工艺等影响SiC晶型可控生长主要因素的基础上,制定了实现6H-SiC晶型可控生...
[会议论文] 作者：封先锋,陈治明,林生晃,蒲红斌,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
SiC晶体生长过程中源-衬距的减小影响晶体生长速率和晶体的品质。制定了下调坩埚系统高温区和不同粒度的SiC粉源分别放置在坩埚不同部位相结合的源-衬距维持方案,利用自制设...
[期刊论文] 作者：张超,李世光,刘艳涛,张月,封先锋,
来源：教育现代化 年份：2021
OBE是以成果为导向、以学生为中心的新型教育理念。本文针对电子科学与技术专业传统“生产实习”课程教学目标笼统、教学内容陈旧、考核方式单一等问题，基于OBE理念，在教学目标......
[期刊论文] 作者：何凤琴,郑璐,卢刚,杨振英,封先锋,
来源：电源技术 年份：2020
利用Silvaco软件对N型叉指背接触异质结(HIBC)太阳电池的特性参数进行了模拟和仿真,主要分析了少子寿命、衬底厚度和掺杂浓度对HIBC太阳电池短路电流密度(Jsc)、开路电压(Voc...
[期刊论文] 作者：刘兵,陈治明,封先锋,林生晃,王风府,,
来源：人工晶体学报 年份：2013
在SiC单晶生长过程中，与籽晶背面升华有关的热分解腔等缺陷的形成严重影响了生长晶体的品质。本文介绍一种可以有效防止籽晶背面升华的预处理方法，即在粘贴籽晶之前，用直流反应......
[期刊论文] 作者：昝祥,陈治明,马剑平,封先锋,蒲红斌,
来源：西安理工大学学报 年份：2003
碳化硅粉末经压制成型后,在高温常压下固相烧结制成多孔碳化硅样品.用紫外激光对样品激发,样品的光致发光谱在低温下在2.02 eV位置出现一发光主峰,在2.13 eV位置出现一微弱肩...
[期刊论文] 作者：封先锋,陈治明,马剑平,蒲红斌,李留臣,
来源：人工晶体学报 年份：2004
3C-SiC因其优越的物理和电学性能是制造耐高温、大功率、高频率器件的理想材料.本文报道了采用液相外延法从硅熔体中生长3C-SiC及抑制其相变的研究进展.采用X射线衍射、透射...
[期刊论文] 作者：李留臣,陈治明,蒲红斌,封先锋,张群社,
来源：人工晶体学报 年份：2004
真空系统的应用在现代科研生产领域中起着越来越重要的作用,越来越被人们所重视.真空系统设计的好坏,直接影响着晶体生长设备的成功与否,而提高真空系统的密封性,降低真空系...
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