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异晶型夹杂是影响SiC晶体品质的关键因素之一.在分析耔晶、杂质、生长温度、生长初期工艺、籽晶装配工艺等影响SiC晶型可控生长主要因素的基础上,制定了实现6H-SiC晶型可控生长的工艺,采用该工艺进行了晶体生长实验,结果表明晶片上6H-Sic的面积达93％.
6H-SiC的晶型可控生长
【摘 要】
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异晶型夹杂是影响SiC晶体品质的关键因素之一.在分析耔晶、杂质、生长温度、生长初期工艺、籽晶装配工艺等影响SiC晶型可控生长主要因素的基础上,制定了实现6H-SiC晶型可控生
【机 构】
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西安理工大学电子工程系,西安710048
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2010年10期
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