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[学位论文] 作者：宿世臣,,
来源： 年份：2012
工程地质、水文地质与环境地质勘察是露天矿开采过程和边坡治理工作必不可少的一个重要组成部分,地质勘查工作质量的好坏和边坡稳定的状态直接决定着露天矿开采方案的选择、...
[期刊论文] 作者：宿世臣,
来源：中国科技纵横 年份：2011
自从上世纪90年代至今，人们一直致力于第三代半导体——宽带隙半导体的研究，其基本应用在紫外一蓝紫波段的短波长发光器件，主要包括发光二极管（LEDs）和激光器（LDs）。宽带半导体LEDs......
[学位论文] 作者：宿世臣,
来源：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 年份：2009
ZnO是一种直接的宽带隙的半导体材料，其激子束缚能高达60meV。ZnO基半导体材料作为紫外有前途的候选材料而成为半导体光电子领域研究的热点。要获得高性能光发射器件，关键技术...
[会议论文] 作者：严闪闪,宿世臣,
来源：第十四届全国发光学学术会议 年份：2016
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[期刊论文] 作者：宿世臣,吕有明,
来源：发光学报 年份：2011
利用等离子体辅助分子束外延（P-MBE）技术制备了ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结LED。Ni/Au电极与p-GaN、In电极与ZnMgO之间都形成了良好的欧姆接触。在ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN...
[期刊论文] 作者：宿世臣,胡灿栋,牛犇,,
来源：广州化工 年份：2011
利用等离子体分子束外延（P-MBE）设备在S i（111）衬底上制备了高质量的ZnO薄膜。通过扫描电镜观察了ZnO薄膜的表面形貌为的六角结构。X射线衍射谱显示ZnO薄膜为c轴择优取向的,ZnO（00......
[期刊论文] 作者：张晗,裴磊磊,宿世臣,
来源：发光学报 年份：2017
利用脉冲激光沉积（PLD）设备在蓝宝石衬底上制备了高质量Zn（1-x）MgxO单晶薄膜,并对其结构和光学特性进行了深入细致的研究。通过能量衍射谱（EDS）确认Zn（1-x）MgxO薄膜的Mg组分为45%。在......
[期刊论文] 作者：张晗,裴磊磊,宿世臣,,
来源：发光学报 年份：2017
利用脉冲激光沉积(PLD)设备在蓝宝石衬底上制备了高质量Zn_(1-x)Mg_xO单晶薄膜,并对其结构和光学特性进行了深入细致的研究。通过能量衍射谱(EDS)确认Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的Mg...
[期刊论文] 作者：宿世臣, 吕有明, 梅霆,,
来源：物理学报 年份：2011
利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在m面的蓝宝石(m-Al2O3)衬底上制备了ZnO/Zn0.85Mg0.15O多量子阱.反射式高能电子衍射谱(RHEED)图样的原位观察表明,多量子阱结构是以...
[期刊论文] 作者：牛犇,高辉,杨爽,宿世臣,,
来源：高师理科学刊 年份：2015
采用单辊旋淬法制备了Cu45Zr42.55Y3.45Al9非晶合金，差示扫描量热分析手段（DSC）研究了该非晶合金晶化动力学性能．采用Ozawa，Kissinger及Augis—Bennett方法计算了Cu45Zr42.55Y3.45...
[期刊论文] 作者：严闪闪,王双鹏,宿世臣,
来源：中国光学 年份：2021
由于光存在衍射极限,因此传统方法不能实现亚波长尺度下的激光激射。为了打破这一衍射极限,本文设计了金属-介电层-半导体堆叠结构来实现深亚波长尺度下的激光激射,并讨论了...
[期刊论文] 作者：宿世臣,杨孝东,胡灿栋,,
来源：广州化工 年份：2011
利用等离子体分子辅助分子束外延设备在蓝宝石衬底上通过改变生长温度,得到了不同的ZnMgO合金薄膜。研究了衬底温度对ZnMgO的结构和光学性质的影响。X射线衍射谱表明所有的Zn...
[期刊论文] 作者：宿世臣,杨孝东,胡灿栋,,
来源：半导体学报 年份：2011
ZnO nanowall networks were prepared by plasma-assisted molecular beam epitaxy without a catalyst on Si(111) substrates.The nanostructures have preferred orienta...
[期刊论文] 作者：蓝栩砚, 杨欣, 宿世臣, 章勇,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2004
通过研究电流和温度应力及二者共同作用对发光二极管(LED)球泡灯可靠性的影响,分析各应力下LED球泡灯的失效机理。结果表明:在室温情况下,以电流为加速应力时,主要失效方式为...
[会议论文] 作者：朱海,宿世臣,余兆丰,单崇新,
来源：第13届全国发光学学术会议 年份：2013
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[期刊论文] 作者：宿世臣,裴磊磊,张红艳,王佳,赵灵智,,
来源：发光学报 年份：2016
利用Advanced Physical Models of Semiconductor Devices(APSYS)理论对比研究了InGaN/AlInGaN和InGaN/GaN多量子阱作为有源层的InGaN基发光二极管的结构和电学特性。与InGaN...
[期刊论文] 作者：宿世臣,吕有明,张吉英,申德振,
来源：发光学报 年份：2011
利用等离子体辅助分子束外延（P-MBE）设备在蓝宝石衬底上通过改变生长温度,制备了不同的ZnO样品。研究了衬底温度对ZnO的结构、光学和电学性质的影响。样品的晶体结构利用X射线...
[期刊论文] 作者：宿世臣,裴磊磊,张红艳,王佳,赵灵智,
来源：发光学报 年份：2016
利用Advanced Physical Models of Semiconductor Devices (APSYS)理论对比研究了InGaN/AlInGaN和InGaN/GaN多量子阱作为有源层的InGaN基发光二极管的结构和电学特性.与InGaN...
[期刊论文] 作者：姜如青,欧阳剑,杨辉,郑树文,赵灵智,宿世臣,,
来源：华南师范大学学报(自然科学版) 年份：2017
基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了本征SnO2、SnO2∶In、SnO2∶Ga和SnO2∶（In,Ga）超晶胞模型并进行了几何结构优化,对其能带结构、态密度、电荷密度及光...
[期刊论文] 作者：王果,杨欣,李东颖,孙新雨,方一旭,章勇,宿世臣,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2020
量子点因其独特优异的光学特性而被广泛应用于发光领域,其中最突出的特点是光谱调谐方便,只需要改变材料的尺寸,就可实现发光光谱的调谐。结合实际应用的需要,选取CdSe材料作...
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