【摘 要】
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利用等离子体辅助分子束外延（P-MBE）技术制备了ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结LED。Ni/Au电极与p-GaN、In电极与ZnMgO之间都形成了良好的欧姆接触。在ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN
【机 构】
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华南师范大学光电子材料与技术研究所,深圳大学材料科学与工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金（60976036）, 广东省自然科学基金（8151806001000009）, 广东省育苗项目（LYM10063）资助项目
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利用等离子体辅助分子束外延（P-MBE）技术制备了ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结LED。Ni/Au电极与p-GaN、In电极与ZnMgO之间都形成了良好的欧姆接触。在ZnMgO/n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结器件中观察到了明显的整流特性。异质结的电致发光强度随着注入电流的增大而逐渐增强。室温下在注入电流为20 mA时,电致发光光谱由位于370 nm和430 nm的两个发光峰构成。通过异质结的电致发光光谱与ZnO和GaN材料的光致发光光谱相比较确认：位于370 nm的发光来源
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