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利用等离子体分子束外延（P-MBE）设备在S i（111）衬底上制备了高质量的ZnO薄膜。通过扫描电镜观察了ZnO薄膜的表面形貌为的六角结构。X射线衍射谱显示ZnO薄膜为c轴择优取向的,ZnO（002）取向X射线衍射峰的最大半宽度仅0.18°。并通过室温和变温发光谱对ZnO薄膜的发光特性进行了研究。在低温下ZnO的发光以施主束缚激子为主,室温下发光的主要来源为ZnO的自由激子发光。