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[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：光电子技术 年份：1995
TFT与STN成本比较@孙再吉Recently on the dev...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：科技与经济 年份：1996
我国通信市场现状及规划孙再吉中国经济随着对外开放，对内搞活政策的实施，１６年来取得了举世瞩目的成就。八十年代国民经济总产值平均增长率为９％，进入九十年代仍持续高速增长。尤其在...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
ＭＣＭ的ＡＩＮ衬底直接铜焊接技术据日本《电子材料））１９９４年第７期报道，美国加州ＳａｎｔａＣｌａｒａ的ＩＸＹＳ公司成功地开发了用于ＭＣＭ的氮化铝（ＡＩＮ）衬底上直接进行铜焊接（ＤＣＢ）的技术。该公司过去一直使用氧化铝衬底，从高热导率和绝缘性能......
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
对光学微细加工技术中骤然崛起的移相掩模技术,从原理、掩模种类以及尚待解决的问题等方面作了较为详尽的介绍。 该技术由于大幅度提高分辨率、空间相干性和增大焦深,目前已...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：世界产品与技术 年份：2001
近年来,随着微波、准微波移动通信等通信系统需求的迅速扩大,微波频率拥挤、频率资源的不足已成为不争的事实。因此,为了适应大容量传输和汽车防撞雷达应用等新的需求,...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：微电子技术 年份：2000
主要阐述了GaAs系高频器件及其MMIC在民品中的应用实例 ,以及GaAsMMIC的民品市场探讨。...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：半导体技术 年份：2001
论述了微波多芯片模块（Ｍ Ｍ Ｃ Ｍ）技术的发展历史、应用领域及工艺进展。着重从芯片互连、基板材料及封装设计等方面讨论了该技术的发展前景，并对我国微电子和 ＭＭＣＭ封装技术提出几点建议。......
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
据日本《エレクトロニクス》１９９９年第３期报道，日本ＮＴＴ公司开发了ＳＯＩ结构ＭＯＳＦＥＴ，栅长为０．５μｍ，栅宽为０．８ｍｍ，ＲＦ特性为２ＧＨｚ，１９ｄＢｍ，ＰＡＥ为６８％，工作电压为３．６Ｖ。能获得如此高的功率附加效率，主要是有效地降低了输出电容。此?According to......
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2007
...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
电源电压１．５Ｖ下，饱和输出功率为３０．０ｄＢｍ的ＨＥＭＴ据《日经》１９９５年第９－１１期报道，日本ＮＥＣ新开发的ＨＥＭＴ，在电源电压＋１．５Ｖ下，工作频率９５０ＭＨｚ时的饱和输出功率达３０．０ｄＢｍ（约１Ｗ）。可用于移动电话的功放。该器件的结构是，...According to Nikkei......
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
据《日经エレクトロニクス》１９９８年第６期报道，意大利ＰｉｒｅｌｌｉＣａｂｌｅｓａｎｄＳｙｓｔｅｍｓ公司开发了光孤子波分复用（ＷＤＭ）传输装置，定名为“ＴｅｒａＭｕｘ”。该装置可以将１０Ｇｂｉｔ／ｓ的ＯＣ－１９２线路重复作用于１２８个信道，从而实现了每１According to “Nikkei Elec......
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：世界产品与技术 年份：2002
以民用无线通信及多媒体信息系统和军用保密通信、末制导灵巧武器寻的以及雷达系统为代表的大量毫米波应用市场,推动了毫米波技术的开发和研究。但无论从哪个角度看,毫...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：世界产品与技术 年份：2002
近年来以手机为主的移动通信终端的日益普及,大大地推动了其关键器件GaAsMMIC和RF器件及模块的研发和规模生产的进程,给GaAs市场提供了巨大的市场机遇,使GaAs技术向低成...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：半导体杂志 年份：1995
综述了近几年来国外在量子阱半导体激光器方面的开发现状，着重阐述了在提高器件性能方面获得低阈值电流，降低α参数和线宽的重要性。...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
综述和分析了ｉ线光学光刻技术的现状和发展。指出结合移相掩模技术和离轴照明技术，可在确保焦深的基础上大幅度提高成像分辨率。...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：世界电子元器件 年份：1998
随着无线通信个人化、多媒体化的发展,对微波、毫米波电路设计的要求越来越高。这无疑要求MMIC自身的小型化设计。一方面要提高芯品产量的成本率,降低成本;另一方面旨在提高...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：世界电子元器件 年份：1999
自1936年初发现EL(电致发光)现象以来,直至将其应用于显示器件已延续了半个多世纪。以研究历史来看比液晶显示器件(LCD)长,但实用化却相对滞后。现在仍局限于少数公司在...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：微电子学 年份：1997
芯片尺寸封装技术是９０年代初出现的一种新型封装技术，是封装领域的重要发展方向。文章中报道了各习片尺寸封装模式及其特点和结构。...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：电子工程师 年份：1999
阐述了智能大厦的含义，发展过程及关键技术，介绍了综合布线系统的特点，组成和目前讨论的几个焦点问题，智能建筑的兴起是当今建筑工业和电子信息业的一次革命，将成为一个新的经济增......
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