【摘 要】
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据日本《エレクトロニクス》１９９９年第３期报道，日本ＮＴＴ公司开发了ＳＯＩ结构ＭＯＳＦＥＴ，栅长为０．５μｍ，栅宽为０．８ｍｍ，ＲＦ特性为２ＧＨｚ，１９ｄＢｍ，ＰＡＥ为６８％，工作电压为３．６Ｖ。能获得如此高的功率附加效率，主要是有效地降低了输出电容。此?
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据日本《エレクトロニクス》１９９９年第３期报道，日本ＮＴＴ公司开发了ＳＯＩ结构ＭＯＳＦＥＴ，栅长为０．５μｍ，栅宽为０．８ｍｍ，ＲＦ特性为２ＧＨｚ，１９ｄＢｍ，ＰＡＥ为６８％，工作电压为３．６Ｖ。能获得如此高的功率附加效率，主要是有效地降低了输出电容。此?
According to Japan’s “エ ト ク ト ロ ニ ク ス” No. 3 1999 reported that Japan’s NTT company developed a SOI structure MOSFET gate length of 0.5μm, gate width of 0.8mm, RF characteristics of 2GHz, 19dBm, PAE was 68%, the operating voltage is 3.6V. Achieving such a high power added efficiency is primarily effective in reducing the output capacitance. this?
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