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[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2011
据IHSiSuppli公司的MEMS与传感器专题报告,五大硅磁传感器供应商占全球总体市场的80%以上。这类传感器广泛用于汽车应用,以及智能手机和平板电脑的数字罗盘之中,如苹果公司的...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2012
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST),发布一款在3×5.5×1 mm微型封装内整合三轴线性加速度和角速度传感器的惯性传感器模块。这款新产品是6个自由度的iNEMO传感器模块,...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2012
罗姆集团旗下的美国Kionix Inc.此次面向智能手机和平板设备终端,开发出了以行业最小最薄的加速度传感器为首的5种新产品。以智能手机和平板电脑为首的移动设备越来越多功能...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2011
随着移动上网的需求逐渐成为便携式消费性电子产品的必要配备,In-Stat预估,2015年将有4亿以上消费性电子产品出货时搭载无线局域网络(WLAN)芯片。虽然传统上以便携式消费性电...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2012
英特尔推出一款在65 nm单芯片中整合功率放大器(PA)的3GHSPA射频收发器。英特尔架构部副总裁Stefan Wolff在接受《EE到Times》的电子邮件采访中提到,该芯片是采用GlobalFound...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2012
技术创新的射频解决方案厂商TriQuint半导体公司日前宣布,推出以体积比上代产品缩小40%的两款QUANTUM Tx发射器模块:TQM6M4068和TQM6M9069,为市场造势。这些发射模块集成了Tr...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2011
日本富士实验室今天宣布,该实验室已经成功开发出世界第一个采用氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)技术的收发(T/R)组件。该组件的特征是输出10 W的功率,可以在C到Ku波段(...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2004
为解决一些更薄倒装芯片封装相关的难题,汉高公司推出了一种新型底部填充材料,旨在通过控制芯片和基板翘曲以降低封装产品的应力。新材料乐泰ECCOBOND UF 8840是一种性能优异...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2004
TriQuint半导体公司发布了三款新的射频SAW(声表面波)滤波器—856934、857019和856977,这三款器件可经济有效地提高在3G/4G网络基础设施和传统系统应用中的性能。全球网络面...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2012
英特尔CEO保罗·欧德宁(PaulOtellini)表示,英特尔已开始对7纳米和5纳米制程技术的研究。此外,英特尔目前计划在美国俄勒冈、亚利桑那和爱尔兰的工厂中部署14纳米制程生产线...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2012
包括英国国家物理实验室在内的跨欧研究小组开发出了一种令人难以置信的石墨烯材料,其将成为微型芯片和触摸屏等未来高速电子产品的关键成分。在该成果的推进下,生产出作为未...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2013
全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社宣布开发出了肖特基势垒二极管(SBD)RJS6005TDPP,该器件采用了碳化硅材料——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2013
富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5 kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些Ga...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2013
最近开展的一项国际合作项目研究小组在蓝宝石衬底上制作了一种难以置信的超高质量GaN外延层。这项制备工艺仅需要单步外延生长就可以实现。来自加州大学洛杉矶分校的谢tahon...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2013
硅材料的节能能力已接近极限,部分企业把注意力放到碳化硅材料上。SiC材料的采用也是功率半导体器件的主要技术趋势之一。以前功率半导体器件都采用硅材料,但业内人士认为硅...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2013
三菱电机对铁路车辆逆变器中SiC二极管的节能效果进行了验证,并公布了验证结果。该验证结果是通过将使用SiC二极管的逆变器配备在东京地铁银座线的新型“01系列列车”上,从20...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2013
近期,日本信息通信研究机构NICT发布了Ga_2O_3晶体管研制成功的消息。与SiC和GaN相比,Ga_2O_3在低成本、高耐压且低损耗方面显示出较大的潜力,备受业界关注。Ga_2O_3是金属镓...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2013
碳化硅功率器件的市场领先者科锐公司将重新界定大功率应用的性能和能效,推出全新产品系列—50A碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700VZ-FET.碳化硅MOSFET器件,还...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2013
SiC是一种宽禁带半导体,据称有200多种polytypes。其禁带宽度根据polytype的不同,可以从～2.4变化到～3.3 eV。它的应用范围很广,比如高功率和高温半导体元件,微波器件,短波长发...
[期刊论文] 作者：吴琪乐,,
来源：半导体信息 年份：2013
近年来,GaN电力半导体的研发日益活跃。与采用Si电力半导体相比,GaN电力半导体应用于逆变器、转换器等的电力转换装置,可大幅提高效率,并实现小型化。富士通研究所与古河电气...
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