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[学位论文] 作者：吕玉冰,,
来源：西安电子科技大学 年份：2007
在半导体工艺尺寸不断减小的情况下,栅介质层厚度不断减薄,一方面满足保持控制沟道电流的能力,一方面控制短沟道效应。栅氧化层已经是大规模集成电路关键技术之一。检验栅氧...
[期刊论文] 作者：吕玉冰,,
来源：青年时代 年份：2020
历史上的蒙学教材可谓浩如烟海.《龙文鞭影》是明清以来儿童启蒙重要读物,其内容丰富,蕴含哲理性和趣味性,而且押韵对偶,读起来朗朗上口,易学易懂.文章首先介绍了《龙文鞭影...
[学位论文] 作者：吕玉冰,
来源：东北石油大学 年份：2021
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[期刊论文] 作者：程顺昌,王晓强,吕玉冰,谷顺虎,,
来源：半导体光电 年份：2013
采用实验设计方法对超声楔形焊引线键合工艺进行实验设计,研究了超声功率、键合压力和键合时间对键合强度的影响,得到了拟合程度好的统计模型和优化后的超声楔形焊工艺参数。...
[期刊论文] 作者：王颖,李郑梅,李毅强,吕玉冰,,
来源：电子技术与软件工程 年份：2018
辐照试验作为航天器上各种电子元器件抗辐性能评估的重要手段,目的是通过试验前后的对比测试积累数据;但单粒子辐照试验相对特殊,其单粒子效应只会发生在上电过程中,且检测到的数据也无法直接远距离传回监控室。因此,为了满足试验要求,提出并设计了基于高速串行......
[期刊论文] 作者：李秋娴,朱剑霞,古裕莲,吕玉冰,,
来源：海南医学 年份：2017
目的检测长链非编码RNA生长抑制特异因子5(LncRNA GAS5)对结肠癌细胞的凋亡和生长的影响及其与化疗药物的敏感性是否有关联。方法 siRNA干扰结肠癌细胞株SW480 LncRNA GAS5基...
[期刊论文] 作者：韩恒利,汪凌,唐利,吕玉冰,廖乃镘,,
来源：半导体光电 年份：2013
对电荷耦合器件(CCD)片上放大器直流输出电压的主要影响因素进行了研究,通过对不同源漏工艺、不同栅下注入剂量工艺条件对直流输出的影响分析,指出有效沟道长度和放大管栅下...
[期刊论文] 作者：杨洪,翁雪涛,李立,白雪平,吕玉冰,,
来源：半导体光电 年份：2016
运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对基于p型衬底制作的横向抗晕内线转移CCD的弥散特性进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟横向抗晕内线转移CCD器件...
[期刊论文] 作者：杨洪,雷仁方,郑渝,吕玉冰,翁雪涛,,
来源：半导体光电 年份：2015
采用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制了1/2英寸823×592、8.3μm×8.3μm内线转移CCD,该器件设计制作了纵向抗晕结构,实现了内线转移器件光晕抑制。该器件水平驱动频率可...
[期刊论文] 作者：刘昌举,吴治军,祝晓笑,熊平,吕玉冰,,
来源：半导体光电 年份：2013
基于0.35μm工艺,设计了应用于低光照环境下的低噪声、高灵敏度CMOS图像传感器。该图像传感器采用PPD 4T像素结构,像素阵列512×512,包含列级运放、水平移位寄存器、逻辑控制...
[期刊论文] 作者：吕玉冰,王颖,汪朝敏,李金,刘昌林,,
来源：半导体光电 年份：2014
介绍了抗辐射加固设计使用的总剂量辐照效应模型,研究了它在时间延迟积分电荷耦合器件(TDI-CCD)电荷转移效率参数衰减中的应用,并通过不同剂量60Coγ辐照试验,验证了该模型在...
[期刊论文] 作者：吕玉冰,吴琼瑶,刘昌举,李明,周亚军,刘戈扬,,
来源：半导体光电 年份：2020
太空环境中的电离辐射会导致CMOS图像传感器性能退化,甚至造成永久性损毁.文章对CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术进行了研究,从版图设计、电路设计等方面提出相应的抗辐射...
[期刊论文] 作者：雷仁方,王晓强,杨洪,吕玉冰,郑渝,李利民,,
来源：半导体光电 年份：2013
传统的电荷耦合器件(CCD)处于强光环境时,会产生光晕现象;纵向溢出漏结构的出现,满足了CCD在强光环境下的使用要求。通过对CCD的纵向溢出漏结构及其电势进行分析,发现抗晕势...
[期刊论文] 作者：吕玉冰,祝晓笑,翁雪涛,岳志强,苏玉棉,,
来源：半导体光电 年份：2012
对基于CCD工艺提取的BSIM3v3模型,在CCD片上放大器电路上进行了验证,通过在直流、瞬态和交流条件下对比电路的仿真数据和实际测试数据,验证了该模型,即提取的模型能够满足电...
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