【摘 要】
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太空环境中的电离辐射会导致CMOS图像传感器性能退化,甚至造成永久性损毁.文章对CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术进行了研究,从版图设计、电路设计等方面提出相应的抗辐射
【机 构】
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重庆光电技术研究所,重庆,400060
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太空环境中的电离辐射会导致CMOS图像传感器性能退化,甚至造成永久性损毁.文章对CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术进行了研究,从版图设计、电路设计等方面提出相应的抗辐射策略,并进行了总剂量和单粒子试验.试验结果表明,采用抗辐射加固技术设计制作的CMOS图像传感器具备抗总剂量和单粒子辐射能力,当总剂量达到100 krad(Si)、单粒子辐射总注量达到1×107 p/cm2时,器件的关键指标变化符合预期要求.
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