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[学位论文] 作者：卓世异,
来源：中国科学院研究生院 中国科学院大学 年份：2012
近十年来，ZnO稀磁半导体材料由于在自旋电子器件方面的潜在应用而受到人们广泛的关注。早期对ZnO稀磁半导体材料进行研究时常采用具有磁性的过渡族金属元素如(Mn、Fe、Co和Ni...
[期刊论文] 作者：卓世异,熊予莹,顾敏,,
来源：半导体学报 年份：2009
ZnO films and ZnO:Cu diluted magnetic semiconductor films were prepared by radio frequency magnetron sputtering on Si(111)substrates,with targets of ZnO and Zn0...
[会议论文] 作者：卓世异,熊泽,刘学超,施尔畏,
来源：第五届届全国氧化锌学术会议 年份：2011
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[会议论文] 作者：熊泽,卓世异,刘学超,施尔畏,
来源：第五届届全国氧化锌学术会议 年份：2011
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[会议论文] 作者：刘学超,卓世异,熊泽,施尔畏,
来源：第十八届全国半导体物理学术会议 年份：2011
本文研究了磁性过渡金属Co掺杂ZnO体系，采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法在不同的条件下制备了上述薄膜，表征了薄膜的微结构、半导体性能、磁性和光学性能。研究结......
[期刊论文] 作者：卓世异,刘熙,刘学超,施尔畏,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
This paper reviewed the advances in fluorescent SiC codoped with nitrogen,boron and aluminum dopants applied to optoelectronics in recent years.The progress asp...
[会议论文] 作者：卓世异,刘学超,熊泽,施尔畏,
来源：第五届届全国氧化锌学术会议 年份：2011
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[期刊论文] 作者：卓世异,刘熙,高攀,严成锋,施尔畏,,
来源：无机材料学报 年份：2017
施主受主共掺杂的荧光4H—SiC可以通过复合发出可见光，影响其发光性能的一个重要因素是施主-受主掺杂的浓度。本研究通过PVT生长方法制备了3英寸N-B-Al共掺的4H-SiC晶体，采用Ra...
[期刊论文] 作者：卓世异,刘学超,熊泽,杨建华,施尔畏,,
来源：发光学报 年份：2012
采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法制备了（Cu,Al）掺杂ZnO薄膜,超导量子干涉磁强计测试结果表明,薄膜具有室温的铁磁性。采用激光共聚焦拉曼（Raman）光谱研究了（Cu,Al）掺杂ZnO......
[期刊论文] 作者：陈卫宾, 刘学超, 卓世异, 柴骏, 施尔畏,,
来源：无机材料学报 年份：2018
采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法制备了Yb掺杂ZnO薄膜,并采用不同剂量质子对薄膜进行了辐照实验,重点采用X射线衍射、光电子能谱、正电子湮灭图谱和磁测量系统对Zn0....
[期刊论文] 作者：卓世异,刘学超,熊泽,陈之战,杨建华,施尔畏,,
来源：人工晶体学报 年份：2011
ZnO基稀磁半导体的磁性来源和机理一直是研究的热点和难点。传统的磁性3d过渡族元素掺杂ZnO容易形成铁磁性的第二相,而非磁性元素掺杂可以很好的避免这一弊端,是研究稀磁半导...
[会议论文] 作者：黄维, 王乐星, 卓世异, 陈辉, 庄击勇, 施尔畏,,
来源： 年份：2012
蓝宝石(Al2O3)和碳化硅(SiC)作为新一代高性能单晶衬底材料,已越来越为人们所广泛关注。而衬底的表面加工质量直接影响其上外延层的质量,从而影响最终的器件性能。本文在比较...
[期刊论文] 作者：周天宇,刘学超,黄维,卓世异,郑燕青,施尔畏,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
A Ni/Ta bilayer is deposited on n-type 6H–Si C and then annealed at different temperatures to form an ohmic contact. The electrical properties are characterize...
[期刊论文] 作者：王华杰,刘学超,孔海宽,忻隽,高攀,卓世异,施尔畏,
来源：无机材料学报 年份：2017
采用物理气相输运法（Physical Vapor Transport, PVT）, 在1700 - 1850°C生长温度下制备出AlN六方微晶柱; 晶柱长度在1 cm左右, 宽度在200 -400 μm, 光学显微镜下观察为六...
[期刊论文] 作者：王华杰,刘学超,孔海宽,忻隽,高攀,卓世异,施尔畏,,
来源：无机材料学报 年份：2017
采用物理气相输运法(Physical Vapor Transport,PVT),在1700~1850℃生长温度下制备出AlN六方微晶柱;晶柱长度在1 cm左右,宽度在200~400μm,光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈...
[会议论文] 作者：郭慧君,黄维,刘熙,卓世异,周仁伟,郑燕青,施尔畏,
来源：第17届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2015
台阶位置和平面位置原子构型的区别，在台阶位置存在额外的势垒，即Ehrlich-Schwoebel(ES)势垒.ES势垒对外延薄膜生长质量有重要影响，不仅增加薄膜的表面粗糙度和降低薄膜的最...
[会议论文] 作者：刘学超,石彪,熊泽,卓世异,忻隽,孔海宽,杨建华,施尔畏,
来源：第十六届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2012
碳化硅(SiC)晶体具有宽禁宽度大、击穿场强高、热导率高、耐辐射、抗腐蚀等优异的特性,是制造大功率、高频、耐高温器件的优选材料[1].同质外延生长是实现SiC 基元器件的关键...
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