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[期刊论文] 作者：卢瀚仑,刘宁炀,
来源：质谱学报 年份：2021
基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF MS)广泛用于生物检材测试,由于其具备快速、精准、高通量的特性,将成为医疗微生物测试领域应用的新途径.目前,用于医疗微生物检测的MALDI-TOF MS靶片主要为钢质重复使用型,存在交叉污染、分辨率不足的问题.因此,研......
[期刊论文] 作者：任远,刘晓燕,刘久澄,刘宁炀,陈志涛,,
来源：材料研究与应用 年份：2016
为进一步调节GaN材料刻蚀的关键特征尺寸、改善GaN材料刻蚀损伤,采用电感耦合等离子体（ICP）方法刻蚀GaN材料.通过分别改变ICP过程中的气体比例、腔室气压、ICP功率及RF功率参数...
[期刊论文] 作者：杨薇,武翌阳,刘宁炀,刘磊,陈钊,胡晓东,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
We theoretically investigate the optical properties of an ultra-thin InN layer embedded in InGaN matrix for light emitters. The peak emission wavelength extends...
[期刊论文] 作者：林丹,王巧,王君君,胡金花,卢瀚仑,刘宁炀,陈志涛,
来源：材料研究与应用 年份：2019
为研究温度对AlGaN基274nm深紫外LED光电参数的影响.基于自动温控深紫外光谱分析测量系统的测试结果表明,在25~100℃范围内该深紫外LED的工作电压和基板温度呈负线性关系,温...
[会议论文] 作者：刘晓燕,刘宁炀,刘久澄,任远,范广涵,陈志涛,
来源：2013广东材料发展论坛暨战略性新兴产业发展与新材料科技创新研讨会 年份：2013
本文总结了GaN基垂直结构LED应用于大驱动电流的优势，从P面反射镜技术、衬底转移技术、表面粗化技术和N极性面n-GaN欧姆接触技术等关键技术出发，总结了剥离衬底的GaN基垂直结构...
[期刊论文] 作者：李成驰,范广涵,郭光华,陈志涛,刘宁炀,古志良,,
来源：半导体光电 年份：2015
荧光粉受激发产生的白光LED照明光源存在显色指数较低的问题。对此提出一种利用光谱拟合反演高显指目标光谱的方法,针对已知白光LED计算提高该光源所需补充的单色光LED种类及...
[会议论文] 作者：王君君,陈志涛,江川孝志,刘宁炀,许毅钦,王巧,张康,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
AlGaN是第三代宽禁带半导体材料的重要代表之一,可广泛应用于紫外光电子器件及电子器件,因而受到极大的关注.近年来,随着AlN/蓝宝石模板等技术的突破和发展,AlGaN基紫外LED的性能也获得快速提升,国内外多家机构相继研制出了单芯片出光功率达毫瓦级的平面结构AlG......
[期刊论文] 作者：刘久澄,刘晓燕,任远,刘宁炀,王君君,王巧,陈志涛,,
来源：材料研究与应用 年份：2016
采用PECVD方法制备氮化硅薄膜,利用椭偏仪和拉曼光谱对沉积薄膜的沉积速率、折射率及应力进行表征.结果表明：低频条件下,氮化硅薄膜的沉积速率和折射率比高频条件下的低;低频...
[期刊论文] 作者：王巧,刘宁炀,王君君,刘久澄,许毅钦,胡金花,陈志涛,,
来源：材料研究与应用 年份：2016
在恒温变电流及恒流变温条件下,研究了GaN基蓝光单色芯片的电致发光光谱（EL）特性.结果表明：在电流应力作用下EL谱能量的相对增益大于1,并且随着电流应力增加而不断变大,在长波波......
[期刊论文] 作者：刘晓燕,任远,刘久澄,刘宁炀,张康,黄朝辉,陈志涛,,
来源：材料研究与应用 年份：2016
研究电子束蒸发ITO过程中,氧流量对制备的ITO薄膜形貌以及电阻率的影响,并分析了其影响的机理.结果表明,在保持温度、真空度、转速和生长速率不变的条件下,氧流量为2sccm时,...
[期刊论文] 作者：王君君,刘宁炀,张康,张志清,赵维,范广涵,张娜,陈志涛,,
来源：材料研究与应用 年份：2014
采用MOCVD方法在 AlN/蓝宝石模板上生长高铝组分 Al0．6 Ga0．4 N 薄膜，并采用高分辨率XRD（HRXRD）及阴极荧光（CL）方法对其进行了表征．结果表明，AlGaN薄膜产生了相分离，其原因为厚膜中的应......
[期刊论文] 作者：刘宁炀,王巧,王君君,刘晓燕,林丹,张志清,赵维,陈志涛,,
来源：材料研究与应用 年份：2016
采用从近红外到深紫外能谱范围的扫描光谱椭偏方法,对AlN单晶薄膜结构和光学特性进行了研究.结果显示：近红外到近紫外能谱（1.5-3.875eV）是高透明区,椭偏光谱呈现周期性振荡;近紫...
[会议论文] 作者：王君君,刘宁炀,张康,张志清,赵维,范广涵,张娜,陈志涛,
来源：2013广东材料发展论坛暨战略性新兴产业发展与新材料科技创新研讨会 年份：2013
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[期刊论文] 作者：张康,张娜,张志清,刘宁炀,王君君,赵维,范广涵,陈志涛,江,
来源：材料研究与应用 年份：2014
采用MOCVD方法在AlN/蓝宝石模板生长了与GaN近晶格匹配的高质量 InAlN薄膜，并对其结构及表面特性进行了研究。结果表明：X射线衍射（20-24）面的倒易空间图表明，InAlN薄膜的晶格常数...
[期刊论文] 作者：许毅钦,李炳乾,赵维,张康,王君君,张志清,刘宁炀,苏海常,,
来源：材料研究与应用 年份：2014
分别采用20ms快速脉冲测量和20s持续直流测量的方法,对白光LED的光电参数进行测量,研究热效应对白光LED的发光光谱、光通量、色温、荧光粉能量转换效率、光色变化等参数的影...
[会议论文] 作者：王巧,戴隆贵,刘宁炀,禤铭东,王君君,陈志涛,陈弘,贺龙飞,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
蓝宝石图形化衬底(PSS)技术在GaN基LED上已获得了广泛的应用,并于近年发展至纳米尺度,即蓝宝石纳米图形化衬底[1](NPSS)技术.NPSS技术被认为可以进一步降低外延薄膜的位错密度,并提高LED光提取效率,提升器件性能.对于NPSS技术而言,获得周期性排布、规则、小尺寸......
[期刊论文] 作者：董斌,何晨光,王长安,李祈昕,李叶林,刘宁炀,赵维,陈志涛,
来源：半导体光电 年份：
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[会议论文] 作者：张康,张志清,刘宁炀,赵维,刘晓燕,王君君,陈志涛,江川孝志,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
Ⅲ族氮化物材料包括InN、AlN、GaN及其合金体系,因其优良的物理化学特性,广泛应用于电子器件及光电子器件.其中InAlN三元合金,在In组份接近0.18时可实现与GaN的面内晶格匹配,同时InAlN材料具有宽禁带高折射率的特点,在InAlN/GaN高迁移率晶体管、布拉格反射镜和......
[期刊论文] 作者：张康,张娜,张志清,刘宁炀,王君君,赵维,范广涵,陈志涛,江川孝,
来源：材料研究与应用 年份：2020
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[期刊论文] 作者：张康,张娜,张志清,刘宁炀,王君君,赵维,范广涵,陈志涛,江川孝志,,
来源：材料研究与应用 年份：2014
采用MOCVD方法在AlN/蓝宝石模板生长了与GaN近晶格匹配的高质量InAlN薄膜,并对其结构及表面特性进行了研究.结果表明:X射线衍射(20-24)面的倒易空间图表明,InAlN薄膜的晶格常...
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