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为进一步调节GaN材料刻蚀的关键特征尺寸、改善GaN材料刻蚀损伤,采用电感耦合等离子体（ICP）方法刻蚀GaN材料.通过分别改变ICP过程中的气体比例、腔室气压、ICP功率及RF功率参数,对ICP刻蚀GaN材料的速率、GaN与光刻胶选择比及直流偏压的变化做了系统地研究,得到了台面刻蚀的最优参数.使用光刻胶作为掩模刻蚀了1.837μm深度的GaN材料样品,表面的光刻胶平整光滑;刻蚀台阶整齐连续,刻蚀倾角控制在75°以内.