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采用PECVD方法制备氮化硅薄膜,利用椭偏仪和拉曼光谱对沉积薄膜的沉积速率、折射率及应力进行表征.结果表明：低频条件下,氮化硅薄膜的沉积速率和折射率比高频条件下的低;低频和高频条件下沉积的氮化硅膜内应力分别表现为压应力和张应力,而高低频交替沉积时,氮化硅的沉积速率、折射率及应力情况与低频与高频的时间占比相关.通过实验调控PECVD高低频时间的占比,制备出了低应力氮化硅薄膜.