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[期刊论文] 作者：庞贝 毛艳玲,
来源：科技创新与品牌 年份：2016
人物简介 冯士维，工学博士、教授、博士生导师，北京工业大学微电子学院执行院长。...
[会议论文] 作者：冯士维,
来源：2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2013
本文介绍一种基于电学法的半导体器件芯片温升及热阻纵向构成分析技术，利用此方法能够准确的测量半导体器件的分热阻构成，为器件热特性设计奠定基础。该方法具有测试速度快，对器......
[期刊论文] 作者：江捷, 冯士维,,
来源：实验技术与管理 年份：2012
作为一种新型课程,顶峰体验课程自开设以来,就得到了欧美高校、学生和用人单位的普遍欢迎,在高等教育课程改革中产生了重大影响。探讨了顶峰体验课程的内涵和教学目标,并以美...
[期刊论文] 作者：冯士维,谢雪松,
来源：半导体学报 年份：1999
利用电学法测量器件的温升、热阻及进行瞬态热响应分析是器件热特性分析的有力工具。本文利用电学法测量了ＧａＡＳ ＭＥＳＦＥＴ在等功率下，加热响应曲线随电压的变化，并通过红外热像仪测量其温度......
[会议论文] 作者：冯士维;谢雪松;,
来源：第七届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1997
该文介绍了采用脉冲技术，能够测量、分析ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ冷响应曲线、温升、稳态热阻、瞬态热阻及热响应曲线的电学法测量方法及仪器。该方法可实现器件正常工作条件下，快速、非破坏性地测量......
[期刊论文] 作者：冯士维,吕长志,
来源：半导体学报 年份：1994
本文对ＣａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ正向肖特基结电压Ｖｇｓｆ随温度的变化特性进行了温度与分析，得到了在较宽的温度范围内恒定电流下的Ｖｇｓｔ随温度的变化有很好的线性关系，并发现其温度系数α＝ｄＶｇｓｆ／ｄＴ与测试电流有关，随着Ｉ的增......
[期刊论文] 作者：冯士维,吕长志,
来源：电子器件 年份：1997
本文介绍了用标准芯片法测量半导体器件的封装热阻的测试原理及测量装置，并对该测量系统的重复性及误差进行了讨论通过对半导体ＰＮ结温度系数的研究发现：温度系数的测定准确性主要......
[期刊论文] 作者：冯士维,何大伟,
来源：半导体技术 年份：1999
采用快速脉冲技术，研制了ＧａＡＭＥＳＦＥＴ热特性测试仪，并测量，分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ冷响应曲线、温升、稳态热阻、瞬态热阻及入曲线。采用该方法，可在器件正常工作条件下，快速、非破坏性地测量分析器件的芯片、......
[期刊论文] 作者：李瑛,杨集,冯士维,
来源：传感器世界 年份：2005
光纤气体传感器较传统气体传感器有诸多优点,特别是在恶劣环境检测等方面。它越来越引起人们的广泛关注,并得到了深入的研究和广泛的实用化。本文对新兴出现的几种常见的光纤...
[期刊论文] 作者：闫慧兰,冯士维,雷飞,,
来源：电气电子教学学报 年份：2016
“模拟电子技术”是电子信息类各专业必修的基础平台课程。为了提高学生的工程素养和实践能力,本文就如何基于工程理念展开教学,从课程教材编写、教学模式及考核方式等方面进...
[期刊论文] 作者：冯士维,刘榿,侯立刚,
来源：电子世界 年份：2016
培养高素质、具有创新意识的应用型人才是地方高校一直不懈努力的目标。针对如何提升学生的综合素质、提高学生获取知识的能力和提升实践能力的有效性问题,我们通过以科技活...
[期刊论文] 作者：荆二荣,冯士维,郝伟,,
来源：材料导报 年份：2007
从矩阵方法的基本原理出发，结合AIN／GaN结构的机械和电学边界条件，推导出用于求解声表面波在AIN／GaN结构中的相速的行列式方程。通过求解该行列式方程，分析了声表面波在AIN／GaN结构......
[期刊论文] 作者：易熠,冯士维,张亚民,,
来源：微电子学 年份：2016
基于小电流下肖特基结正向压降的温度特性,建立了温升测量系统。利用该系统对肖特基SiC二极管的瞬态温升进行了测量,结果显示瞬态温升曲线呈阶梯状变化。利用结构函数的方法...
[期刊论文] 作者：张娇,张亚民,冯士维,
来源：半导体技术 年份：2022
GaN基微波功率器件在高电场影响下产生了界面缺陷和陷阱效应,加剧了器件有源区材料的损伤,是造成其在高频、大功率应用下电学参数退化的重要因素.提出了一种基于贝叶斯迭代的时间常数谱的提取方法,通过采集器件漏源电流瞬态响应曲线,精确提取陷阱俘获、释放电子......
[期刊论文] 作者：王雨,冯士维,史冬,郑翔,
来源：电子科技 年份：2018
文中为获取在一个管壳中与电容并联的二极管的工作温升,搭建二极管与电容并联的被测器件环境,根据测量半导体器件工作温升的温敏电学参数法原理,进行被测器件的瞬态工作温升...
Mechanism of the self-changing parameters and characteristics in AlGaN/GaN high-electron mobility tr
[期刊论文] 作者：石磊,冯士维,刘琨,张亚民,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
The phenomenon of self-changing on the device parameters and characteristics after a step voltage stress was applied to the gate is studied in Al Ga N/Ga N high...
[期刊论文] 作者：徐立国,谢雪松,吕长志,冯士维,
来源：半导体光电 年份：2004
介绍了不同类型的GaN基半导体光电探测器的结构和性能,回顾了其发展历史,并且综述了GaN基紫外光电探测器的研究新进展....
[期刊论文] 作者：魏光华,冯士维,乔彦彬,熊聪,,
来源：半导体技术 年份：2012
为研究正装和倒装封装下高功率半导体激光器有源区的应力问题,利用有限元软件ANSYS分析得到了两种封装方式下应力场分布图及有源区平行于x轴路径上的应力变化曲线。模拟结果...
[期刊论文] 作者：王新君,张炜,冯士维,胡杰,,
来源：微型机与应用 年份：2013
介绍了基于AMBAAPB总线NandFlash控制器的设计，首先简单介绍了NandFlash的一些特点，然后详细介绍了NandFlash控制器的整体框架、具体功能及其内部的数据通路。该控制器通过Mode...
[期刊论文] 作者：吴艳艳,冯士维,周舟,魏光华,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2012
在某些情况下长期服役，发现部分白光发光二极管（LED）器件表面出现黑色物质，影响了光的转换和取出。采用切割剖面、扫描电镜（SEM）和能量弥散光谱仪（EDS）等微区分析手段，辅以电流和温度......
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