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从矩阵方法的基本原理出发，结合AIN／GaN结构的机械和电学边界条件，推导出用于求解声表面波在AIN／GaN结构中的相速的行列式方程。通过求解该行列式方程，分析了声表面波在AIN／GaN结构中的传播特性，包括声表面波相速和机电耦合系数随频率、AIN的膜厚和C轴取向的变化规律。AIN／GaN结构减弱了GaN中施主杂质的影响，使该结构更适合于声表面波器件的应用，AIN和GaN作为半导体压电材料，其AIN／GaN结构便于与其它电路集成化，有利于减小器件的尺寸，增强声表面波器件的功能。