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[期刊论文] 作者：丁奎章,
来源：半导体情报 年份：1998
ＧａＡｓＩＣ的最新进展——第十八届ＧａＡｓＩＣ研讨会简介１会议简介１９９６年１１月３～６日在美国奥兰多市举办了第１８届ＧａＡｓＩＣ研讨会。大会共收到论文１４５篇，会上宣读了６１篇，特邀报道１２篇。其中美国４４篇，日本１９篇，西欧８篇，中国台湾和加拿大.........
[期刊论文] 作者：丁奎章,,
来源：半导体情报 年份：2004
本文在单栅GaAsMESFET串联电阻测量方法的基础之上,对双栅GaAsMESFET的串联电阻进行了分析,推导出双栅GaAsMESFET串联电阻的数学解析式,并给出了测量串联电阻的方法,用它对实...
[期刊论文] 作者：丁奎章,,
来源：半导体情报 年份：2004
当用烷氧基硅酸盐和磷酸盐在本征 GaAs 的表面上生长一层 SiO_2或磷硅玻璃(PSG)时,掺 Cr 的本征 GaAs 表面附近形成一薄的导电层。导电层的厚度随热处理的时间和温度的增加而...
[期刊论文] 作者：丁奎章,
来源：半导体技术 年份：1989
本文分析了栅非对称配置的GaAsMESFET的栅-源击穿电压和栅-漏击穿电压,给出了二者关系的简单数学表达式,由此发现了栅-漏击穿电压与器件夹断性能的关系,从实验上证明理论分析...
[期刊论文] 作者：丁奎章,
来源：半导体情报 年份：1998
ＧａＡｓＩＣ的最新进展——第十八届ＧａＡｓＩＣ研讨会简介１会议简介１９９６年１１月３～６日在美国奥兰多市举办了第１８届ＧａＡｓＩＣ研讨会。大会共收到论文１４５篇，会上宣读了６１篇，特邀报道１２篇。其中美国４４篇，日本１９篇，西欧８篇，中国台湾和加拿大.........
[期刊论文] 作者：丁奎章,,
来源：半导体情报 年份：1981
本文提出一种测量GaAsMESFET串联电阻的方法,它对Fukui提出的测量串联电阻的方法作了必要的修正,并给出串联电阻的数学解析式和一幅“GaAsFET串联电阻估算图”,用它可以简便...
[期刊论文] 作者：H.Itoh,丁奎章,,
来源：半导体情报 年份：2004
广泛地研究了GaAs MESFET在栅偏置和衬底偏置下的长期漂移现象,目的在于发现产生此漂移现象的主要原因是表面还是外延衬底界面。观察到栅偏置下通常的漏电流漂移的激活能分散...
[期刊论文] 作者：Kimiyoshi Yamasaki,丁奎章,,
来源：半导体情报 年份：1987
为了制作亚微米栅长的超高速GaAs LSI,研制了一种p型耗尽层隐埋在有源层下的新型SAINT FET。设计的p型层有效地抑制了在n~+自对准(SAINT)MESFET中会引起严重短沟道效应的衬底...
[期刊论文] 作者：Katsuya Okumura,丁奎章,,
来源：半导体情报 年份：1982
研究了铝丝-镀金层系统的健合强度的退化。这种健合系统在高温贮存时,健合强度的退化为下列三种退化模式之一:(ⅰ)A模式—随热退火时间的增加,键合强度下降,直到某一确定值,(...
[期刊论文] 作者：于玲莉,丁奎章,
来源：半导体情报 年份：1997
介绍了２￣１８ＧＨｚ ＧａＡｓ微波低噪声宽带单片放大器设计原理及主要研究工作，给出了主要研究结果：在２￣１８ＧＨｚ频率范围内，管壳封装的两级级联放大器的增益Ｇ＝１３．５￣１８．３ｄＢ，噪声系数Ｆｎ＝４．２￣６．２ｄＢ，输入电压驻波比ＶＳＷＲｉｎ〈２．０，输出电压驻波比ＶＳＷＲｏｕｔ〈２．５。......
[期刊论文] 作者：于玲莉,丁奎章,
来源：半导体情报 年份：1995
报道了８￣１６ＧＨｚ ＧａＡｓ单片宽带分布放大器的设计与制作。单级ＭＭＩＣ电路采用三个栅宽为２８０μｍ的ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ作为有源器件，芯片尺寸为１．１ｍｍ×１．６ｍｍ。在８￣１６ＧＨｚ频率范围，用管壳封装的两级级联放大器增益Ｇａ为１１．３±１ｄＢ，噪声系数Ｆｎ〈６ｄＢ，输出......
[期刊论文] 作者：丁奎章,于玲莉,
来源：半导体情报 年份：1990
本文报道一种具有新颖“Γ”形栅结构的砷化镓振荡场效应晶体管,它不但具有较低的调频噪声,而且具有相当高的频率稳定度,是微波固态源较为理想的振荡器件。...
[期刊论文] 作者：丁奎章,于玲莉,
来源：半导体情报 年份：1998
描述了以ＰＨＥＭＴ为有源器件的８￣１２ＧＨｚ宽带低噪声单片电路的设计及制造，获得了满意的结果。其性能为ｆ＝８￣１２ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４￣１９．５ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４￣２．２０ｄＢ；ｆ＝８￣１４ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４￣１９．９ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４￣１．５ｄＢ。......
[会议论文] 作者：于玲莉,丁奎章,
来源：'96全国第六届MIC电路及工艺会议 年份：1996
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[会议论文] 作者：丁奎章,于玲莉,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
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[期刊论文] 作者：T·H·Chen,丁奎章,,
来源：半导体情报 年份：1986
我们提出GaAsMESFET小信号电容的一种新的分析模型。由于考虑了非均匀掺杂分布的影响,故此模型可以用于外延生长的FET以及离子注入的FET。我们还考虑了背栅、覆盖层、导电沟...
[期刊论文] 作者：Trew,丁奎章,,
来源：半导体情报 年份：1986
从理论上研究了凹槽栅GaAs离子注入MESFET的噪声和RF性能随不同掺杂分布的变化关系。考虑了注入能量、剂量以及不同的深能级密度的影响。指出了器件的性能随深能级密度的增加...
[期刊论文] 作者：邓先灿,丁奎章,
来源：电子学报 年份：1980
本文从考虑了GaAs外延层与衬底的界面陷阱效应的等效电路出发,对影响器件噪声的主要因素进行了理论分析,给出了器件设计范围内的噪声系数与等效电路参数、器件结构参数、材料...
[期刊论文] 作者：丁奎章,于玲莉,陈新奇,,
来源：半导体情报 年份：1990
本文报道一种具有新颖“Γ”形栅结构的砷化镓振荡场效应晶体管,它不但具有较低的调频噪声,而且具有相当高的频率稳定度,是微波固态源较为理想的振荡器件。In this paper,...
[期刊论文] 作者：丁奎章,于玲莉,何庆国,
来源：半导体情报 年份：1998
描述了以ＰＨＥＭＴ为有源器件的８～１２ＧＨｚ宽带低噪声单片电路的设计及制造，获得了满意的结果。其性能为ｆ＝８～１２ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．５ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．２０ｄＢ；ｆ＝８～１４ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．９ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．５ｄＢDescribes the design and manufacture of 8 ~ 12GHz wideband low noise monolithic ci......
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