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[学位论文] 作者：全知觉,,
来源： 年份：2002
本文研究了与人流量直流电磁泵研制设计有关的儿项关键技术，并进行了双联直流电磁泵的可行性模拟实验研究。通过对不同聚磁结构参数电磁铁I-B关系的系列实验和对实验数据的整...
[学位论文] 作者：全知觉,
来源：中国科学院上海技术物理研究所 年份：2007
碲镉汞(MCT)红外探测器是最重要的红外探测器之一。目前，国内MCT红外探测器水平与国际先进水平还存在一定差距，难以满足我国红外技术发展的需要。然而，由于红外领域的敏感性，国外......
[期刊论文] 作者：江风益, 全知觉,
来源：中国高等教育 年份：2022
从基础研究到产业化全链条发展，是国家创新驱动发展战略需求。时代的发展促使我国提出从基础研究到产业化全链条发展战略，基础研究被赋予新内涵和新任务。如何探索从基础研究到产业化全链条融合发展机制，走出一条学研产一体化创新发展之路，是高校需要认真思考和实践......
[期刊论文] 作者：潘洪英, 全知觉,,
来源：物理学报 年份：2019
采用数值模拟的方法,研究了 p 层空穴浓度和厚度对不同铟组分 InGaN p-i-n 同质结太阳电池性能的影响规律及其内在机理.模拟计算的结果显示:随着 p 层空穴浓度和厚度的增加,...
[期刊论文] 作者：陈贵宾,全知觉,陆卫,,
来源：红外技术 年份：2006
硼离子注入p型HgCdTe薄膜材料制备的光伏型红外探测器光敏元实际面积对器件结构的优化设计、器件性能研究具有重要意义．通过高分辨率、非直接接触的激光束诱导电流谱表征手段...
[期刊论文] 作者：胡伟达,陈效双,全知觉,
来源：红外 年份：2007
在半导体器件的研制过程中，用计算机数值模拟取代测量方法来优化设计器件的性能参数，则器件的调试周期将显著缩短，费用将大幅度降低。本文简述了新型纳米尺寸MOSFET器件模拟的主......
[会议论文] 作者：全知觉,汤英文,游达,江风益,
来源：第十一届全国LED产业与技术研讨会 年份：2008
研究了P型AIGaN电子势垒层对大功率Si衬底GaN基LED光电性能的影响。设计制作了三种不同材料结构的器件：(1)无P型AlGaN；(2)有P型AlGaN和(5)有P型AlGaN且阱稍窄。通过对比分析三...
[期刊论文] 作者：陈贵宾,全知觉,王少伟,陆卫,,
来源：光子学报 年份：2007
报道了非直接接触、高分辨率的激光束诱导电流谱表征技术在检测半导体材料、器件工艺中的应用.研究结果表明：p型HgCdTe薄膜经硼离子注入后形成的n型区面积大于实际的离子注入...
[期刊论文] 作者：田泽刚,,
来源：发明与创新(教育信息化) 年份：2016
如何充分实现多媒体课堂教学的大容量、全知觉、高效率？本文试图通过格式塔心理学（完形心理学）的压...
[期刊论文] 作者：彭有根,唐海平,全知觉,刘奎立,
来源：测试技术学报 年份：1999
研究了一种新的硬度检测方法──巴氏噪声法．用自制的巴克豪森检测装置和洛氏硬度计对同一钢试样进行同位检测，建立了巴氏噪声综合参数γ与洛氏硬度值H的关系曲线，求出的函数关......
[会议论文] 作者：贾嘉,陈贵宾,全知觉,李向阳,龚海梅,
来源：2004年全国光电技术学术交流会 年份：2004
保护环结构被广泛地运用于当今的硅电路设计中,但在红外光电器件中却很少有应用.随着近年来军事与航天用红外焦平面列阵中碲镉汞光伏探测器的尺寸不断减小,p-n结对结区外载流子的收集效应造成实际的有效光敏面面积比设计尺寸相对大了许多.有效光敏面的扩大会导......
Dependence of limited radiative recombination rate of InGaN-based light-emitting diode on lattice te
[期刊论文] 作者：高江东,张建立,全知觉,刘军林,江风益,
来源：中国物理B:英文版 年份：2020
It is observed that the radiative recombination rate in InGaN-based light-emitting diode decreases with lattice temperature increasing.The effect of lattice tem...
[期刊论文] 作者：全知觉,杨晶,彭有根,刘云,党惊知,
来源：华北工学院学报 年份：2002
目的研究模拟双联泵与单泵的流量大小,为大流量电磁泵的设计提供参考依据.方法通过在以水银为传输介质的模拟直流电磁泵上进行实验,分别测出在相同静泵高Δp 和相同出液口高...
[会议论文] 作者：全知觉,吴小明,刘军林,潘拴,江风益,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)在蓝光波段已取得巨大成功,但其在绿、黄光等较长波段的发光效率仍然较低。由位错诱导产生的V 坑可显著提高GaN 基LED 的发光效率。关于V 坑的作用机理,前人提出了V 坑可以屏蔽位错的物理模型1,在一定程度上阐明了GaN 基LED 发光效......
[期刊论文] 作者：全知觉,李志锋,胡伟达,叶振华,陆卫,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2007
报道了一种适用于碲镉汞长波光伏探测器的由典型电阻电压（R-V）曲线提取器件基本特征参数的数据处理途径．拟合程序中采用的暗电流机制包括了扩散电流机制，产生复合电流机制，陷阱辅......
[期刊论文] 作者：叶振华,胡晓宁,全知觉,丁瑞军,何力,
来源：红外与毫米波学报 年份：2006
首次报道了HgCdTe微台面焦平面探测列阵成形工艺的干法刻蚀技术有关刻蚀形貌的一些研究结果．从HgCdTe外延材料的特点出发，详细分析了其干法刻蚀适用的RIE（reactive ionet ching）...
[期刊论文] 作者：全知觉,叶振华,胡伟达,李志锋,陆卫,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2006
研究了一种能够降低平面结型碲镉汞（HgCdTe，MCT）焦平面阵列光串音的新型结构．该结构通过对平面结型MCT焦平面阵列的衬底几何形状的优化设计，来达到增大光响应率、减少光串音的目的......
[期刊论文] 作者：武芹,全知觉,王立,刘文,张建立,江风益,,
来源：发光学报 年份：2015
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在具有偏角(0°~0.9°)的Si(111)衬底上生长了Ga N薄膜。采用高分辨X射线衍射(HRXRD)对Si衬底的偏角进行了精确的测量,利用HRXR...
[期刊论文] 作者：全知觉,孙立忠,叶振华,李志锋,陆卫,,
来源：物理学报 年份：2006
分别对带隙较宽(较窄)的p型材料在带隙较窄(较宽)的n型材料之上的碲镉汞(MCT)异质结的能带结构进行了理论分析.在应用的理论模型中提出了一个简单的载流子浓度近似模型用于计...
[期刊论文] 作者：毛清华,刘军林,全知觉,吴小明,张萌,江风益,,
来源：物理学报 年份：2015
在温度变化时,如果GaInN发光二极管能够保持相对稳定的工作电压对其实际应用具有重要意义.本文通过金属有机化学气相沉积生长了一系列包含不同有源区结构、不同p型层结构以及...
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