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[期刊论文] 作者：霍宗亮,毛凌锋,等,
来源：半导体学报 年份：2003
基于界面陷阱的定义，通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nmMOS结构中的界面陷阱密度和它的能量分布，发现这两种方法提取的界面陷阱密度......
[期刊论文] 作者：霍宗亮,毛凌锋,等,
来源：半导体学报 年份：2003
基于一阶速率方程，讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为，通过对应力电流的拟合，发现存在三类缺陷产生的前身，更进一步的实验显示，在缺陷产生时间常数、击穿时间以及应力电压之......
[期刊论文] 作者：霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2003
基于一阶速率方程 ,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为 .通过对应力电流的拟合 ,发现存在三类缺陷产生的前身 .更进一步的统计实验显示 ,在缺陷产生时间常数、击穿时间...
[期刊论文] 作者：霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2003
基于界面陷阱的定义 ,通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nm MOS结构中的界面陷阱密度和它的能量分布 .发现这两种方法提取的界面陷...
[期刊论文] 作者：杨国勇,王金延,霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2003
利用电荷泵技术研究了 4nmpMOSFET的热载流子应力下氧化层陷阱电荷的产生行为 .首先 ,对于不同沟道长度下的热载流子退化 ,通过直接的实验证据 ,发现空穴陷阱俘获特性与应力...
[期刊论文] 作者：杨国勇,王金延,霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2003
在电荷泵技术的基础上，提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对pMOS器件热载流子应力下的阈值电压退化的作用，并且这种方法得到了实验的验证．结果表明......
[期刊论文] 作者：杨国勇,王金延,霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2003
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：杨国勇,王金延,霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2003
在电荷泵技术的基础上 ,提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对 p MOS器件热载流子应力下的阈值电压退化的作用 ,并且这种方法得到了实验的验证 ....
[期刊论文] 作者：杨国勇,毛凌锋,王金延,霍宗亮,王子欧,许铭真,谭长华,
来源：半导体学报 年份：2003
提出了一种新的基于电荷泵技术和直流电流法的改进方法，用于提取LDD n—MOSFET沟道区与漏区的界面陷阱产生．这种方法对于初始样品以及热载流子应力退化后的样品都适用．采用这种......
[期刊论文] 作者：杨国勇,霍宗亮,王金延,毛凌锋,王子欧,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2003
通过测量界面陷阱的产生，研究了超薄栅nMOS和pMOS器件在热载流子应力下的应力感应漏电流(SILC)．在实验结果的基础上，发现对于不同器件类型(n沟和p沟)、不同沟道长度(1、0．5、0．275......
[期刊论文] 作者：杨国勇,毛凌锋,王金延,霍宗亮,王子欧,许铭真,谭长华,
来源：半导体学报 年份：2003
提出了一种新的基于电荷泵技术和直流电流法的改进方法 ,用于提取LDDn MOSFET沟道区与漏区的界面陷阱产生 .这种方法对于初始样品以及热载流子应力退化后的样品都适用 .采用...
[期刊论文] 作者：杨国勇,霍宗亮,王金延,毛凌锋,王子欧,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2003
通过测量界面陷阱的产生 ,研究了超薄栅 n MOS和 p MOS器件在热载流子应力下的应力感应漏电流( SIL C) .在实验结果的基础上 ,发现对于不同器件类型 ( n沟和 p沟 )、不同沟道...
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