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[期刊论文] 作者：杨尧,毛凌锋,
来源：半导体学报 年份：2002
给出一种利用FN隧穿电流振荡来估计金属-氧化物-半导体场效应管的界面宽度的方法，数值计算的结果表明该方法可以精确而且方便地估计界面宽度，用这种方法估计得到的界面宽度在0.......
[期刊论文] 作者：张贺秋,毛凌锋,等,
来源：半导体学报 年份：2002
用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管（MOSFET）隧穿电流的影响。中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱。对于不同的势垒变化，计算了电子隧......
[期刊论文] 作者：张贺秋,毛凌锋,许铭真,谭长华,
来源：半导体学报 年份：2002
用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管 (MOSFET)隧穿电流的影响 .中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱 .对于不同的势垒变化 ,计算了...
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