金属与金刚石薄膜接触的电学特性研究

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用热丝辅助化学汽相沉积技术在Si衬底上合成了含少量受主型杂质的近于本征的金刚石薄膜,并研究了三种金属(Cu,Ag和Al)与它接触的电学特性,以及退火对接触特性的影响.结果表明Cu,Ag与金刚石薄膜接触的电学特性比较类似,而Al则明显不同;而且退火对它们的接触特性影响很大 Near-intrinsic diamond films containing a small amount of acceptor-type impurities were synthesized on Si substrate by hot wire assisted chemical vapor deposition (CVD) technique and the electrical properties of the three metals (Cu, Ag and Al) , And the effect of annealing on the contact characteristics. The results show that the electrical properties of Cu and Ag in contact with diamond films are similar but Al is significantly different, and the annealing has a great influence on their contact characteristics
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