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利用自主设计、组装的高压脉冲激光沉积（PLD）系统，研究了温度、靶材、催化剂厚度等生长参数对ZnO和Zn1-xMgxO纳米棒生长的影响，并对ZnO纳米棒的生长机理和Zn1-xMgxO纳米棒的光致发光性能进行了探讨．实验发现，当金膜催化剂厚度为2nm、温度为925℃时，在单晶Si衬底上生长了直径均匀的ZnO纳米棒阵列，且具有明显的（002）择优生长取向．实验发现温度与催化剂厚度是影响ZnO纳米棒的直径和生长密度的重要因素．据此提出了ZnO纳米棒阵列的高压PLD生长过程应为气-液-固和气-固相结合的生长机制．