【摘 要】
：
Silicon carbide (SiC) is a wide bandgap semiconductor which exhibits outstanding mechanical, chemical properties, and potential for a wide range of applications. Laser technology is being established as an -indispensable powerful tool to induce structural
【机 构】
：
ChangchunInstituteofOptics,FineMechanicsandPhysics,ChineseAcademyofScience,Changchun130033,ChinaJili
【出 处】
：
ChineseOpticsLetters
论文部分内容阅读
Silicon carbide (SiC) is a wide bandgap semiconductor which exhibits outstanding mechanical, chemical properties, and potential for a wide range of applications. Laser technology is being established as an -indispensable powerful tool to induce structural or morphological modifications on hard brittle materials. SiC (6H-SiC wafer) is irradiated by nanosecond pulsed Nd:YAG laser to evaluate microstructure and mechanical properties of irradiation areas. Raman spectroscopy analysis reveals that irradiations produce homonuclear Si-Si bonds and disordered phase of crystalline SiC. Crystal structure changes are observed as a consequence of laser-induced melting and resolidification. Hardness in the irradiation area exhibits a significant decrease. The formation of silicon film facilitates material removal rate, surface electrical conductivity, and ceramics conjunction.
其他文献
针对现有立体匹配算法对噪声敏感、易失真、在视差不连续区域与弱纹理区域误匹配率高的问题,提出一种改进Census变换与梯度融合的多尺度立体匹配算法。采用支持窗口内所有像素的加权平均灰度值作为Census变换的参考值,将Census代价与由水平和垂直方向归一化结合的梯度代价进行加权融合,通过设置噪声容限获得稳定的代价,提高了单像素匹配代价的可靠性;在多分辨率尺度下,采用改进引导滤波算法完成对匹配代价的
在过去十年里，由于等离子体密度起伏而引起激光束的散射已经成为等离子体诊断中一项最可靠和受重视的技术。在这类测量中，自由电子是散射体，在原则上而且往往在实际上，从散射激光的频谱强度可以导出密度、电子和离子的速度分布、湍流的程度和磁场。虽然在等离子体内自由电子光子散射的汤姆逊截面小至6×10-25厘米2，但它总是比无外壳离子散射截面大很多，而且通常比原子或分子的瑞利散射截面大。
从1979年6月11日到15日在西德罗塔赫·伊格恩召开的第四届国际激光光谱学会议来看，激光光谱界的增长与此领域内研究的进展同样显著。有600名科学家申请参加会议，据慕尼黑技术大学和马克斯普朗克学会的H·沃耳特说，这大大超过了预计的人数。会议的参加者共320人，使该市的食宿设施顿趋紧张。这次会议出席者大大超过了前两次会议，一次是1975年在法国麦热夫召开的，出席人数220人，另一次是1977年在美国怀俄明的杰克逊召开的，当时有180人出席。
从麦克斯韦方程出发，推导了长周期光栅耦合器在折射率、增益、损耗复合调制下完整的耦合理论模型。在此基础上，详细分析了该复合调制长周期光栅耦合器直通与交叉臂间的功率耦合和多波长滤波特性。结果表明，当增益/损耗调制与折射率调制作用相等时，复合调制长周期光栅耦合器具有单向非互易的功率耦合特性，而且随着多波长复用信号输入光纤和输入方向的不同，具有不同的上下话路滤波特性。在增益调制作用下，满足相位匹配条件的信号不仅可有效地耦合到交叉臂下话路输出，还能得到明显的放大；但当损耗调制时，直通与交叉臂中的信号功率均保持各自的
基于表面等离激子受激辐射放大原理，提出了一种应用于表面增强拉曼散射(SERS)单分子探测的领结型纳米天线结构。采用有限元方法（FEM）研究其局域表面等离子体共振(LSPR)和SERS特性。结果表明，该领结型纳米天线的局域表面等离子体共振强度和局域电场强度得到明显的增强，其散射截面为非表面等离激子受激辐射放大领结型纳米天线的1.1×104倍，局域电场强度为1×102倍。同时，该领结型纳米天线的表面增强拉曼散射增强因子最大达到1016，足以进行精确的单分子探测；整个纳米天线表面的增强因子也可达到1012，足以
分析了PFSM的迟滞非线性特性和蠕变特性对控制精度的影响, 提出将XGBoost模型应用于PFSM的动态迟滞非线性特征建模。通过提取PFSM的加压历史特征, 有效地解决了迟滞非线性中数据一对多的问题, 提取的特征包括电压的电压值、变化频率、变化方向、电压增量、历史局部极大值与局部极小值和时间间隔等。仿真结果表明, 此模型可以对迟滞非线性特性和蠕变特性有较好的拟合效果, 相对于静态PI模型, 拟合精度提高了约40 μrand。同时具有模型参数容易识别、易移植到嵌入式芯片等优点。该动态迟滞非线性特征建模方法有
Selective area growth (SAG) is performed to fabricate monolithically integrated distributed feedback (DFB) laser array by adjusting the width of a SiO2 mask. A strain-compensated-barrier structure is adopted to reduce the accumulated strain and improve th
As one of the ideal tools for monitoring the formation and evolution of solar storms, the vacuum ultraviolet (VUV) detector should have both a fast temporal response and an array structure that enables image formation. Here, by combining a nontraditional
采用傅里叶转换红外光谱技术(FTIR)研究了高压(HP)处理对冷冻干燥的大豆分离蛋白(SPI)构象的影响。 在SPI的去卷积FTIR光谱的酰胺Ⅰ′区域(1 600～1 700 cm-1), 观察到12个与蛋白构象相关的红外吸收峰, 分别对应于CO键伸缩振动与肽键的C—N伸缩振动。 通过对该区域的峰强度与波数分析显示, 压力为200～400 MPa的HP处理导致SPI在该区域的峰发生明显的“红移”(约2 cm-1), 强度也显著增加。 更高的HP处理进一步增强了SPI的酰胺Ⅰ′区域的峰强度。 对酰胺Ⅱ峰分析
根据光传输理论和水体光学衰减规律，提出了水下光源主光轴上光谱辐照度随距离分布的理论模型，确定了模型结构。在此基础上，采用数值计算的方法对模型中各待定参数进行求解，根据模型结构特点提出了对不同参数进行分步拟合的思路并给出了具体的参数求解方法。为了验证建模方法的准确性和可行性，根据水下光源实测数据进行建模并对模型的精度进行了评估。结果显示：模型拟合数据与水下实测数据吻合程度较高，拟合误差的方均根值仅为实测数据方均根值的4%，说明模型拟合精度较高。该方法有望用于水下光场建模、水下图像处理等应用领域。