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本文用解析的方法研究了应变P型Si1-xGex层中载流子冻析现象,研究发现,用Si归一化的Si1-xGex价带有效态密度、随x的增加而减小,而且温度T越低,随Ge组份x的增加而减少的速度越快,与Si相比,常温下Ge组份x几乎对电离 杂质浓度没有什么影响,而在低温下,随Ge组份x的增加,电离杂质浓度随之增加,载流子冻析减弱,这对低温工作的Si1-xGex器件有利。